公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專利1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 69,1234.其他應敘明事項:一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基底，基底中已形成有多個溝槽，其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層，以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程，其中來自罩幕層的氫會與矽基材料層中的矽形成矽-氫鍵。