公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581407專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,0004.其他應敘明事項:一種記憶體的製造方法，包括以下步驟。在基底上形成多個電荷儲存結構，其中相鄰兩個電荷儲存結構之間具有第一溝渠，且第一溝渠延伸至基底中。在第一溝渠的表面形成介電襯層。在介電襯層上形成氮化物層。在第一溝渠中填入第一介電層。在電荷儲存結構與第一介電層上形成第二介電層。在第二介電層上形成導體層。移除第一介電層，而在相鄰兩個電荷儲存結構之間的第二介電層下方形成第一氣隙。