第三代半導體掀投資熱，為何SiC基板成發展關鍵？

第三代半導體已成為新的兵家必爭之地，中美各主要國家也紛紛出台政策來推動其發展，國內外企業也爭相投入。

據科技新報報導，工研院產科國際所研究總監楊瑞臨認為，第三代半導體近年成為各國政府與產業界關注的熱門焦點，主要有三大催化劑。

一是美國電動車大廠特斯拉搶先採用第三代半導體碳化矽（SiC），讓SiC組件得以實際發揮散熱性佳、提高電動車續航力等優勢。

二是全球環保意識抬頭，各國政府為達到碳中和、淨零碳排，紛紛訂定淘汰燃油車的時間表，促使車廠加速轉進電動車。

三是中國大陸為吸取矽基半導體受制於人的教訓，出台政策來大力支持發展第三代半導體。

有別於中國砸錢補貼的作法，楊瑞臨表示，美國政府推動的基建計劃中將大舉建置充電樁，這將為第三代半導體中的SiC創造市場。

楊瑞臨進一步指出，SiC 晶體管與碳化矽基GaN 晶體管是成長性較高的兩項產品，年復合成長率分別達27%及26%，都需要採用SiC 基板。

此外，SiC功率組件成本架構也是以包含長晶、切割、研磨的基板佔最大比重，高達50%。

楊瑞臨提到，SiC基板製造難度高，是成本高昂的主要原因。熱場控制及晶種掌握相當關鍵，卻只能依照土法煉鋼，做中學、學中做。而且SiC長晶效率又比Si慢100至200倍，Si長晶約3天即可製造高度為200公分的晶棒，SiC則要7天才能長出2至5公分的晶球。此外，SiC硬且脆，切割、研磨拋光難度高，會有很多報廢物。

目前科銳（Cree）是全球SiC基板龍頭廠，市佔率超過6成，目前我國有廣運集團旗下盛新材料和穩晟材料投入SiC基板領域。

楊瑞臨強調，（校對/清泉）