簡:美光跨洋提告 意圖嚇阻台灣研發 |台灣美光記憶體

台灣地檢署起訴美光離職員工竊密案後，美國記憶體大廠美光（Micron）選擇在美國加州法院向向聯電和技術團隊成員提起民事訴訟和損害賠償。聯電總經理簡山傑昨（25）日接受本報專訪時表示，美光跨國起訴的挑戰性大，顯然是想要藉由美國的主場優勢抑制對手，才選擇「異地」求償，並嚇阻聯電在台灣自主研發DRAM的努力。

簡山傑表示，有關台灣地檢署起訴美光離職員工竊密的刑事起訴是在台灣，但美光卻選擇美國提起民事求償，初步判斷可能原因之一，是美光提出告訴、聯電被起訴已引起科技業和學界的側目，官司挑戰性甚大，美光顯然想藉由美國的主場優勢抑制對手，才選擇「異地」求償。

原因之二是檢察官僅針對聯電「未盡力防止」竊密罪起訴，但美光藉此擴大渲染，將聯電和研發團隊人員統統納入美國民事起訴對象，想藉由訴訟困住聯電的研發進度，顯然意在嚇阻台灣自主研發DRAM。

簡山傑說，第三個可能原因是聯電研發DRAM技術尚在開發進行中，尚無成果也還沒有產品，根本沒使用美光的營業祕密，更沒有造成任何損害，美光起訴請求損害賠償並無任何根據。原因之四則是美光將福建晉華公司列為共同被告，顯示其有意圖囊括中國大陸市場，意在阻止中國大陸製造生產DRAM。

簡山傑強調，聯電的DRAM技術研發雖中斷十幾年，但現在已重啟研發並持續進行中，且聯電沒有使用美光的營業祕密，未來的研發成果也一定不會涉及美光的營業祕密。也就是說，美光不會受到損害，所以請求損害賠償毫無根據，聯電一定會捍衛60萬股東的權益和商譽，採取必要措施。

簡山傑指出，聯電的所有研發及會議都會留下紀錄，聯電自主研發DRAM技術，憑藉的是合法及清楚的起點，以及完整詳實的問題解決途徑，還有自行研發過程中所產生的專利。聯電在邏輯IC製程已做到14奈米，複雜度遠比DRAM高出許多，聯電的DRAM技術研發，也是由位元記憶胞設計開始，流程與步驟都有紀錄，連對應的設備與採用材料等都是從零開始。

簡山傑強調，聯電絕不竊取、使用他人營業祕密，聯電不知道美光的營業祕密為何，也不曾使用過，且核心技術與美光明顯不同，根本沒有必要窺視、侵害美光的營業祕密，外部的營業祕密對聯電的自主研發，並無法產生實質作用，但現在為了避免外界誤傳或散布不實謠言，所以特別予以澄清。