

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
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洲磊科技 | 2025/05/08 | 議價 | 議價 | 議價 | 605,831,220 |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
86545494 | 李明順 | 議價 | 議價 | 議價 | 詳細報價連結 |
2013年06月18日
星期二
星期二
生產高效率低成本光電子元件洲磊奈米壓印技術 客製化奈米基板 |洲磊科技
洲磊科技董事長李明順表示,李洲科技應用洲磊的光子晶體技術所生產的晶片,成功做出令人市場驚艷的高亮度LED照明產品。
近年,LED磊晶片藉由表面磊晶粗化處理進展至圖形化藍寶石基板(PSS)處理,目的皆在於提升產品的亮度與信賴性,據統計,目前高亮度的藍光LED磊晶都以PSS技術來處理,未來幾年內滲透率將持續提高。
談到光子晶體與PSS製程的比較,洲磊林仲相博士分析,光子晶體為PSS技術的「進階版」,光子晶體/準光子晶體技術在2012年被國際知名市調機構Yole Developpement列為影響LED成本的未來20大關鍵技術之一。
由於氮化鎵磊晶層與藍寶石基板的晶格常數(~13.5%)與熱膨脹係數(CTE)兩者之間所存在的大差異,因此,一個非常大的螺紋狀差排缺陷密度(threading dislocation density)通常會產生於氮化鎵磊晶層之內。而有關此螺紋狀差排缺陷密度所發表過的數據大約在109-1010的範圍內。
目前洲磊開發出利用光子晶體圖形結合PSS,先利用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)成長一層U-GaN於圖形化基板之上,接著利用奈米壓印與蝕刻的方式製作規則排列式之準光子晶體結構於基板上之上,之後再利用MOVPE去成長元件磊晶結構。
利用準光子晶體結構圖形化基版,更有效的降低缺陷的密度,提升元件的磊晶品質,並可利用不同光子晶體結構,對不同波長的高反射特性當做一個良好的反射層,再控制MOCVD磊晶的條件成長不同材料的厚度,改變MQW層的相對位置,期望能提高比PSS技術更加顯著的亮度。
將來可以利用奈米壓印技術大量製作客製化的奈米基板,用以生產高效率低成本的光電子元件;目前全擁有此技術者屈指可數,洲磊主要的廠商,而且擁有專利的保護。
近年,LED磊晶片藉由表面磊晶粗化處理進展至圖形化藍寶石基板(PSS)處理,目的皆在於提升產品的亮度與信賴性,據統計,目前高亮度的藍光LED磊晶都以PSS技術來處理,未來幾年內滲透率將持續提高。
談到光子晶體與PSS製程的比較,洲磊林仲相博士分析,光子晶體為PSS技術的「進階版」,光子晶體/準光子晶體技術在2012年被國際知名市調機構Yole Developpement列為影響LED成本的未來20大關鍵技術之一。
由於氮化鎵磊晶層與藍寶石基板的晶格常數(~13.5%)與熱膨脹係數(CTE)兩者之間所存在的大差異,因此,一個非常大的螺紋狀差排缺陷密度(threading dislocation density)通常會產生於氮化鎵磊晶層之內。而有關此螺紋狀差排缺陷密度所發表過的數據大約在109-1010的範圍內。
目前洲磊開發出利用光子晶體圖形結合PSS,先利用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)成長一層U-GaN於圖形化基板之上,接著利用奈米壓印與蝕刻的方式製作規則排列式之準光子晶體結構於基板上之上,之後再利用MOVPE去成長元件磊晶結構。
利用準光子晶體結構圖形化基版,更有效的降低缺陷的密度,提升元件的磊晶品質,並可利用不同光子晶體結構,對不同波長的高反射特性當做一個良好的反射層,再控制MOCVD磊晶的條件成長不同材料的厚度,改變MQW層的相對位置,期望能提高比PSS技術更加顯著的亮度。
將來可以利用奈米壓印技術大量製作客製化的奈米基板,用以生產高效率低成本的光電子元件;目前全擁有此技術者屈指可數,洲磊主要的廠商,而且擁有專利的保護。
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