億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性 |億而得微電子

億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發

性記憶體

專註於嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體(NVM)的IC設計公司

億而得微電子(Yield Microelectronics Corp; YMC)，日前宣佈於3.3V元

件邏輯平台上開發完成可低電壓讀取之嵌入式邏輯製程可程式快

閃記億體IP，讀取電壓可以低到1.5伏特以下，目前可提供0.35um

製程技術記憶體IP，記億體容量由1x8位元到16x16位元，除了具

有1.5伏特以下低讀取電壓之優點之外，還具備低開發成本、低生

產成本、位元組(Byte)抹除寫入能力及可多次電性抹除寫入之優點

，並為滿足各應用領域客戶的需求。

億而得徵電子於0.25um、0.18um及0.13um製程技術同步開發此一

技術，該公司預估於0.25um、0.18um及0.13um製程技術，除了低

成本、提高效能及提升客戶產品競爭優勢之外，預取電壓還可以

比0.35um製程技術更低，未來將朝向1.0伏特以下讀取電壓的目標

。

低電壓讀取主要目標應用為手持式及低耗電市場，目前許多手持

式的應用，都希望能延長充電後使用時間，又不能增加電池體積

，因此低電壓的趨勢及需求日益重要及明顯。舉例而言，如果是

使用一顆1.5伏特的電池，就會要求到1.2伏特的工作電壓，而如果

是使用一顆1.2伏特的電池，更會要求到1.2伏特甚至於0.9伏特的

工作電壓，因此低工作電壓的市場需求隨著手持式及低耗電產品

需求的增加而日益重要。

億而得微電子已開發完成多種低電壓讀取的嵌入式邏輯製程可程

式非揮發性記億體如Flash、EEPROM、EPROM等，並提供客制化

IP設計服務，為了滿足客戶的需求，億而得微電子目前已與國內

幾家晶圓代工廠進行合作中。