DRAM合約價 連2月反彈

ＤＲＡＭ市況淡季穩中帶堅，繼５１２Ｍｂ與１Ｇｂ

ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒（ｅＴＴ）報價分別站穩１美元與２美

元大關後，昨日出爐的本月下旬合約價也同步走揚，漲幅在３％

以上。這是ＤＲＡＭ合約價自去年１２月下旬觸及歷史低點後，

連續兩個月向上彈升，預期南科（２４０８）、力晶（５３４６

）等晶片製造商將逐步走出去年大虧陰霾。

ＤＲＡＭ業者表示，業界所有８吋廠將陸續因不符合效益退出標

準型記憶體製造，造成供給缺口擴大，以及同業陸續放慢擴產腳

步、縮減三、四成不等的資本支出，第二季起價格上漲力道將更

強。

南科透露，客戶陸續商談下半年訂單，是市況好轉的信號，隨新

版Ｖｉｓｔａ作業系統可望刺激每台電腦的ＤＲＡＭ搭載容量，

將帶動價格大幅上漲，預期１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒價格可望回

升至２．５美元至３美元。

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）報價，本月下旬

ＤＲＡＭ合約價持續反彈，５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ與１Ｇｂ

ＤＤＲＩＩ顆粒報價漲幅都在３％以上，最高漲幅逾３．５％，

其中５１２Ｍｂ顆粒均價為０．９４美元，１Ｇｂ　顆粒均價為

１．８８美元，同步寫下近兩個月來新高。帶動模組報價同步止

跌回穩，１ＧＢ模組最高漲幅也超過３％，均價為１８美元；

２ＧＢ模組均價則維持平盤４２美元。