華亞科三月營收 可望攀新高

集邦科技指出，在首季價格明顯攀揚後，ＤＲ　ＡＭ顆粒的報價底部

可能將浮現，第二季價格下跌幅度應不如去年同期明顯，推估ＤＤＲ

跌幅不會超過一○％，呈整理打底蓄勢向上的態勢。由於先前包括日

本爾必達、韓國三星均認為，第二季ＤＲＡＭ表現可望優於原先推估

跌幅，加上三星仍持續佈局ＦＬＡＳＨ產能進度，也應不致明顯衝擊

ＤＲＡＭ供需環境。

另外，根據外電報導，美林證券認為，美光（Ｍｉｃｒｏｎ）將焦點

轉向ＮＡＮＤ型快閃記憶體的同時，也喪失了在ＤＲＡＭ的全球競爭

力，這是市場均忽略掉的一項事實。此舉對積極專注提昇成本競爭力

，搶佔全球ＤＲＡＭ市佔的台灣ＤＲＡＭ廠商來言，或將為一項利多。

據了解，力晶首季毛利率因ＤＤＲ２比重較少下，約在一五％至二○

％水準，而華亞科（３４７４　）、南亞科（２４０８）則因二、三

月ＤＤＲ２合約價明顯調漲，單季毛利率分別有三五％、二○％以上

的表現空間，相對其他國際ＤＲＡＭ大廠，表現仍受期待。其中，華

亞科三月營收增長逾一　○％，可望再度突破新高紀錄。

集邦科技指出，在三星（Ｓａｍｓｕｎｇ）持續增加Ｍｏｂｉｌｅ

ＲＡＭ、Ｇｒａｐｈｉｃｍｅｍｏｒｙ比重下，ｃｏｍｍｏ　ｄｉｔ

ｙ　ＤＲＡＭ的產出成長將受限；Ｈｙｎｉｘ規劃在淡季來臨之際，

進行ＤＲＡＭ設備遷往中國無錫廠，其第二季產出可能比前季減少一

○％，至於Ｍｉ　ｃｒｏｎ則將重心轉往ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ，ｃ

ｏｍｍｏｄｉｔｙ　ＤＲ　ＡＭ比重在其產品組合中將進一步下降，

在有利控制ＤＲＡＭ產出的發展，尤其，ＤＲＡＭ廠積極轉進九○奈

米，良率問題也將牽動實際產出成長表現，進而限制第二季ＤＲＡＭ

產出成長空間。

華亞科十二吋一廠月投片量達六萬二千片以上，其中ＤＤＲ２出貨已

達九○％以上，今年首季產出約成長九％，全年伴隨九○奈米技術推

進，整體產出約較去年成長七○％。

華亞科目前九○奈米製程約佔一○％，推估三月底將以每月增加一萬

片速度，以九○奈米投產，預計至今年九月將全數進入九○奈米製程

技術，規劃生產５１２Ｍｂ　ＤＤＲ１、５１２Ｍｂ　ＤＤＲ２及

１Ｇｂ　ＤＤＲ２產品，全年位元成長將達七○％。