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2006年01月04日
星期三

南亞科、英飛凌DDRII庫存拉警報 華亞科全力供貨 |華亞科技

受到國際OEM電腦大廠對於DDRII產能需求量不斷拉高,但D

RAM廠DDRII庫存量都相對有限,因此像是南亞科(2408

)以及英飛凌(Infineon)已開始向其代工廠華亞科技(3

474)要求全力加速供應DDRII,因此讓華亞科12月營收激

增。此外,由於華亞科本身投片量已達一定程度,為進一步增加產出

數量,被迫加速90奈米製程投片進度,估計至2006年中將可全

數轉移至90奈米製程投產標準型DRAM。

據OEM電腦大廠指出,目前DRAM合約市場中想要真正找到充足

的DDRII貨源,機會相較過去大減許\多,像是三星電子(Sam

sung Electronics)、海力士(Hynix)及美

光(Micorn)均為了自家NAND型Flash市場佔有率而

不斷擴廠,對於標準型DRAM產能根本不太在意,也因此造成市場

上DDRII產能增加速度有明顯出現減緩現象,然而對於OEM電

腦大廠而言,新產出機種大多以DDRII為主,對於DDRII需

求有增無減,因此讓目前DDRII相當搶手。

為此英飛凌以及南亞科均已對其代工大廠華亞科發出需求警報,希望

華亞科能加緊腳步,積極製造DDRII以便能解決燃眉之急,而華

亞科也因12月積極供貨使其營收由11月的新台幣21億元左右,

快速拉高至新台幣23∼24億元的驚人水準,月增率足足達10%

,第四季獲利也較前幾季有更明顯的增長。

不過目前看來華亞科本身投片量已到極限,不太可能有機會再增加投

片數量,為了能進一步來滿足南亞科以及英飛凌對DDRII產能的

需求,解決之道便是加緊投產90奈米製程技術。據了解,由於華亞

科當前0.11微米製程良率已達到90%以上,因此要進一步轉進

90奈米製程,除非良率能夠迅速拉升至70%以上,否則將出現因

轉換90奈米製程而使得產能被迫下跌情況。

據悉,華亞科當前於90奈米製程技術上已到相對穩定階段,預期在

第一季0.11微米製程便可達經濟轉換目標(cross ove

r),接下來將快速拉高在90奈米製程投產比重,估計到了200

6年中便可完全採用90奈米製程投片,屆時華亞科整體產量將再增

加約30%的產能,這部份還不包含華亞科第二座12吋廠的產能。

市場分析師認為,因南亞科及英飛凌對於DDRII需求相當殷切,

因此華亞科將繼續提高DDRII產能,估計到目前為止,DDRI

I產出量約佔華亞科整體產出量80%∼90%。

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