全球聯合通信成功發展高崩潰電壓InGaP HBT

國內砷化鎵晶圓代工廠全球聯合通信（ GCTC ）於近日宣佈，已成功

完成了第一階段無線通訊基地台等基礎設施所使用的HBT元件開發。

此元件具有高崩潰電壓的特色，加上HBT特有的高線性度、高功率及

高可靠度的優點，使得砷化鎵 HBT的應用，將可由傳統的手機及 WL

AN，推廣到基地台等基礎設施的功率放大器。

全球聯合通信副總經理顏晃俊表示，雖然近年來砷化鎵HBT已成為無

線通訊產品的主流射頻元件，但在國內仍以手機及WLAN的功率放大

器為主，欠缺在基地台等基礎設施的應用及開發；而目前在國外，此

技術已開始朝高崩潰電壓的應用邁進。有鑑於此，全球聯合通信藉由

經濟部科專的支持，成功地開發了高崩潰電壓的 InGaP HBT，以提供

國內廠商優先採用。

全球聯合通信先進技術開發部副總經理涂永義表示，現行的 LDMOS

技術主導2GHz頻率以內的基地台市場，而高崩潰電壓InGaP HBT則可

適合2GHz或更高頻的應用。另外，高崩潰電壓InGaP HBT係利用較大

的電壓以達到高功率的要求，且較現行 LDMOS 技術具有更高的線性

度，適合更高頻的功率放大器（PA）產品。因此，InGaP HBT為非常

適合於高頻、高功率的功率放大需求。

針對砷化鎵代工產業的前景，顏晃俊指出，過去幾年由於市場供過於

求，因此造成砷化鎵產業景氣低迷不振，但經過這幾年的汰弱擇強之

後，他相信砷化鎵產業最壞的時間點已經度過了。另外，近來國際砷

化鎵 IDM大廠委外代工的動作轉趨積極，亦透露著砷化鎵代工市場的

需求將逐步走揚。