巨鎵科技高階Laser Diode磊晶片Q3投產 注挹今年營收

鉅亨網記者王宗彤／台北• 5月30日 05/30 18:53

巨鎵科技為國內首家開發完成高階 Laser Diode磊

晶片之廠商，其產品已通過大廠認證，將於第 3季起投

片生產，預期可為今年營收提供極大貢獻。以6吋HBT磊

晶片換算，巨鎵科技的月產能為3000片，而整廠的最大

產能可達月產1萬2000片的規模。

由日本日立電線株式會社(Hitachi Cable) 、巨晶

科技、光磊(2340)、中美矽晶(5483)等科技廠商投資成

立的砷化鎵磊晶片廠巨鎵科技，其核心產品 HBT及

P-HEMT已通過國內外大廠長期認證，並已順利投片生產

，目前正穩定出貨中。

該公司表示，現有 4台MOVPE磊晶設備，可生產 4-6

吋的砷化鎵磊晶片，產品涵蓋 HBT及HEMT兩大類。其中

HBT方面已開發出InGaP及AlGaAs磊晶片，HEMT方面則包

括傳統的HEMT以及PHE T。其中HBT及P-HEMT產品已通過

國外大廠長期認證，並已順利投片生產，目前穩定出貨

中。

巨鎵日籍總經理柏幹雄 (Mr. Mikio Kashiwa)表示

，日立電線株式會社為全球最大通訊砷化鎵磊晶片廠，

目前不僅是巨鎵科技的最大法人股東，同時巨鎵科技亦

是日立電線株式會社在海外唯一的策略聯盟代工廠，因

此在日立的資金及技術團隊的投入之下，在產品品質、

良率及市場競爭上，具有絕對的優勢。