台灣矽成與台積電成功研發5V SRAM0.35微米製程並量產

台灣SRAM領導廠商矽成積體電路(ICSI)今日表示，

以0.35微米製程打造的5V SRAM已進入量產。這項5V

SRAM 0.35 微米製程技術是矽成與台積電共同研發出的

突破性科技，預期將可化解明年初 5V SRAM產能吃緊的

狀況。

矽成指出，從應用面上來看， 5V SRAM為OA、數據

機、傳真機、掃描器等消費性商品的基礎必備零件，同

時預期5V SRAM產品市場需求至少將延續至2003-2005年

。

由於高電壓SRAM在製程演進上有著相當程度的困難

性，目前市場上除了矽成成功研發出0.35微米製程外，

其餘廠商多仍陷於0.45製程技術上。然面臨主要晶圓廠

將陸續在年底前淘汰0.45及以上微米製程政策之際，可

預見 5V SRAM不久將呈現嚴重的產能吃緊狀態，同時也

將嚴重影響下游消費性商品製造廠商的產出狀況。

矽成市場業務部執行副總邱坤壽表示，從0.45到

0.35的5V SRAM 微米製程技術的突破，不僅鞏固矽成在

台灣SRAM市場上的領導地位，也更展現出矽成對於長期

供應5V SRAM承諾的堅持。