連邦科技將SRAM製程由0.18微米直接跨入0.13微米製程 |連邦科技

鉅亨網記者王志煌／新竹科學園區．11月14日 11/14 11:14

為配合晶圓代工廠的製程及考量產品成本，IC設計

公司連邦科技的SRAM製程將從0.18微米跨過0.15微米，

直接進入0.13微米製程。

連邦科技合作的晶圓代工廠有 2家，和新加坡特許

半導體合作的是0.35微米製程的低密度SRAM，也就是目

前的主力產品256k及 1Mb的SRAM，和台積電(2330)合作

的則是0.18微米以下製程的高密度SRAM，其中0.18微米

4Mb SRAM已於第三季推出。

至於0.15微米製程的8Mb SRAM，連邦科技原本計劃

在下半年導入台積電的晶圓廠。但配合代工廠的製程進

度及公司資源的有效運用，已決定跨過0.15微米，直接

進入0.13微米世代的8Mb及16Mb SRAM。