日沖電氣提供DRAM製造技術予台灣志同積體電路 |日沖電氣

日本沖電氣 (1761;Oki Ecectric Installation

Co.)在 3月27日與台灣志同積體電路股份有限公司

(Swift Semiconductor Corp.) 達成協議。並在4月4日

公佈，今後將提供台灣志同DRAM、 LSI等半導體的製造

技術。

台灣志同積體電路股份有限公司，是台灣大同公司

(TATUNG Co.)林蔚山、和通集團 (Houtung Group)等合

資在今年1月設立，資本額1億9000萬元的半導體製造廠

。

沖電氣表示，將提供0.22微米、0.18微米製程的

DRAM，以及 0.25微米製程的LSI製造技術，並且協助輔

導台灣志同有關半導體工廠的設立經驗。

協議中並指出，藉由此項技術提供，沖電氣將從台

灣志同積體電路獲取半導體製造技術的權利金，並獲得

半導體製造的優先使用權。

而且沖電氣表示，今後印表機、 HDD、遊戲機等非

電腦製品所需的DRAM、 LSI製品，市場需求量大時，沖

電氣計劃委託台灣志同生產製造。