長鑫打造國產高頻寬記憶體

日經新聞報導，中國大陸DRAM大廠長鑫存儲正加緊努力，要打造出首款國產高頻寬記憶體（HBM），並已向應用材料（Applied Materials）和科林研發（Lam Research）等業者訂購設備。中國大陸還沒有本土晶片製造商能生產HBM來加速AI運算。

知情人士說，長鑫存儲已從美國和日本供應商那裏訂購、並且收到了一些適合生產和組裝HBM的製造和測試設備。一位晶片業主管表示，長鑫存儲急於取得尚未受到出口管制的HBM生產設備，即使其HBM技術尚未達到量產程度。

報導指出，去年來，長鑫存儲優先發展垂直堆疊DRAM晶片的技術，以便複製HBM晶片架構。消息人士說，應材和科林研發等一些美國主要設備供應商已取得華府許可，2023年中開始向中國大陸的記憶體製造商提供晶片生產工具。

長鑫存儲去年底宣布，已開始生產中國大陸首批LPDDR5記憶體晶片。這使得長鑫存儲在技術方面僅次於美光（Micron）和SK海力士，領先台灣的南亞科技，後者更專注於專業市場而非大眾消費電子產品業務。

但長鑫存儲2023年在全球DRAM的市占率還不到1%，三星、SK 海力士、美光三大巨頭則控制了97%的市場。

根據集邦科技數據，三星和SK海力士主導HBM的生產，2023年市占率合計逾92%。美光則為約4%~6%。

Counterpoint半導體分析師指出，大陸的HBM自給自足目標將面臨許多挑戰，「當DRAM技術落後全球對手，你的HBM技術在商業化市場的競爭將居於劣勢。遑論HBM的生產需要複雜的設計和製造技術。這可能是個陡峭的攀爬過程。中國大陸國家隊要打破該領域由國際主導的現況並非易事。其首要目標仍是滿足國內需求」。