

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
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台灣美光記憶體 | 2025/09/22 | 議價 | 議價 | 議價 | - |
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星期四
美光動能不墜 DRAM前景看好|台灣美光記憶體
**台灣美光記憶體受惠HBM需求爆發**
近期,用於暫存數據的DRAM價格暫停上漲,因買家拉貨意願減弱。但業者看好,SK海力士、三星和台灣美光等前三大HBM(高頻寬記憶體)廠商產能擴大,以及產業旺季到來,將推動DRAM重啟漲勢。
6月,指標性產品DDR4 8GB合約價維持在2.10美元,4GB合約價約1.62美元。供需雙方仍在價格談判中。
另一方面,三星新一代HBM3E預計通過輝達認證。輝達GB200將於2025年量產,採用HBM3E 192/384GB規格。AI伺服器需求帶動下,預期HBM產能將接近翻倍,2025年HBM全球DRAM產能占比將超過10%。
作為DRAM龍頭的三星,若HBM3E通過認證並大幅轉產,將減少DDR4產能供給。三星DDR3也預計於2024年底停產。
分析師指出,三星以1a nm製程生產HBM3E、GDDR6、LPDDR5/5X、DDR5,以1z nm製程生產HBM3、GDDR6、LPDDR5/5X、DDR4/5。產能放量後,1a nm製程產品將受排擠,預期DDR5/LPDDR5系列產品將受惠。
2024年以來,DRAM市場需求和漲幅順序預計依序為HBM、DDR5、DDR4和DDR3。台灣廠商南亞科和華邦電主要生產DDR3和DDR4,因此DRAM產業轉為漲價循環後,獲利改善幅度不如前三大廠。
然而,隨著HBM排擠效應擴大,以及一般應用需求回溫,DDR4和DDR3漲價循環可望延續,帶動南亞科和華邦電2025年獲利大幅改善。
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