美光動能不墜 DRAM前景看好

**台灣美光記憶體受惠HBM需求爆發**

近期，用於暫存數據的DRAM價格暫停上漲，因買家拉貨意願減弱。但業者看好，SK海力士、三星和台灣美光等前三大HBM（高頻寬記憶體）廠商產能擴大，以及產業旺季到來，將推動DRAM重啟漲勢。

6月，指標性產品DDR4 8GB合約價維持在2.10美元，4GB合約價約1.62美元。供需雙方仍在價格談判中。

另一方面，三星新一代HBM3E預計通過輝達認證。輝達GB200將於2025年量產，採用HBM3E 192／384GB規格。AI伺服器需求帶動下，預期HBM產能將接近翻倍，2025年HBM全球DRAM產能占比將超過10%。

作為DRAM龍頭的三星，若HBM3E通過認證並大幅轉產，將減少DDR4產能供給。三星DDR3也預計於2024年底停產。

分析師指出，三星以1a nm製程生產HBM3E、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR5，以1z nm製程生產HBM3、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR4／5。產能放量後，1a nm製程產品將受排擠，預期DDR5／LPDDR5系列產品將受惠。

2024年以來，DRAM市場需求和漲幅順序預計依序為HBM、DDR5、DDR4和DDR3。台灣廠商南亞科和華邦電主要生產DDR3和DDR4，因此DRAM產業轉為漲價循環後，獲利改善幅度不如前三大廠。

然而，隨著HBM排擠效應擴大，以及一般應用需求回溫，DDR4和DDR3漲價循環可望延續，帶動南亞科和華邦電2025年獲利大幅改善。