"格斯科技：突破性奈米矽碳負極材料，高導電低膨脹性能"|格斯科技*

台灣矽碳負極材料領域再創高峰！格斯科技攜手中研院、台科大，成功研發出可大量商品化的奈米級矽碳負極材料。這項創新技術透過獨特的化學材料碳源與簡單的水溶液工法，打造出高傳導性、低膨脹性的矽碳奈米複合材料，有效突破過去矽碳負極在電子傳導性及充電膨脹率上的限制，未來在電芯負極應用發展上，格斯科技將成為業界關注的焦點。 葉國偉博士，格斯技術長，對於這項新技術的突破感到興奮。他指出，與傳統石墨負極相比，這種新的矽基負極材料理論比容量更高。然而，傳統矽基負極的電子傳導性較低，充電時體積膨脹達三倍，這些問題在電池充放電過程中會導致極片易爆裂、粉碎、剝落，對大量商業化產品來說是一大挑戰。 為了解決這些挑戰，格斯研發團隊選擇了常見的染髮劑成分——含氮的對苯二胺作為碳源，並運用簡單的水溶液方法製備矽包碳奈米複合材料。這種矽包碳技術大幅提升了矽基負極材料的電子傳導性，並成功抑制了體積膨脹現象，確保了高效的鋰離子傳輸。這項技術的突破，對於提升電池性能、延長電池壽命，乃至於促進電動車、手機等電子產業的發展，都將產生重大影響。