台灣美光HBM記憶體廠：熱銷盛況，市場前景看漲|台灣美光記憶體

記憶體產業龍頭美光看好AI技術帶動高效能運算的發展潛力，近期宣布其高頻寬記憶體（HBM）年度產能已全數銷售一空，公司將進一步加大對HBM與先進封裝產能的投資，預計到2025年，DRAM及NAND位元的需求量將實現雙位數成長。市場分析師對台股記憶體族群持正面看法，預測南亞科（2408）、華邦電（2344）等台系記憶體製造廠商將因DRAM基本面的好轉而受益。

根據美光最新公布的第三季財報，公司營收、毛利率以及每股稅後純益（EPS）均超過市場預期，這主要得益於HBM營收的50％季增。美光經營團隊在法說會上強調，HBM業績將持續成長，DDR4產品將於停產後進行價格調整，下季訂單量及價格預期將同步上升。

第三季，美光DRAM產品營收達71億美元，佔整體營收的76％，較上一季增長15％。其中，HBM營收增長近50％，DRAM出貨量也成長超過20％。NAND Flash營收為22億美元，佔比23％，季增16％。

美光積極擴充產能，HBM3E已經向多家資料中心與AI平台客戶出貨，並開始量產HBM3E 12Hi，該產品具有更高的容量和更低的功耗，良率與出貨量也穩步提升。HBM4產品也已送樣給客戶，預計2026年開始量產。新加坡的HBM封裝廠已於今年初動工，2027年將開始大量貢獻產能。台灣與馬來西亞的既有廠區也將同步升級，以增加先進封測產量。

此外，美光在美國本土化生產策略上不斷推進，愛達荷與紐約的兩座廠區預計2027年投產，並爭取晶片法案（CHIPS）補助與投資抵稅。公司還在維吉尼亞州打造DRAM生產線，以服務汽車、國防等領域，目標實現40％DRAM美國製造。

在製程方面，美光以1α製程為主力，並已開始用1β製程生產HBM3E，計劃於2025年量產導入EUV的1γ製程，全面提升性能、功耗與密度，並適用於HBM、LPDDR5與DDR5。首批1γ LPDDR5產品已送樣給2026年旗艦手機平台。

NAND Flash方面，美光預估2025年將減產超過10％，並將部分設備轉為先進節點，以控制供應。公司預計，2025年DRAM與NAND位元需求年增率將分別達17～19％與11～13％。

總結來說，美光對AI技術帶動的高階記憶體需求持續看好，HBM訂單在2025年已全數售罄，全年營收有望創下新高。