格棋攻碳化矽 Q4登興櫃 |格棋化合物半導體

繼化合物半導體廠漢磊（3707）與大股東世界先進攜手建置8吋碳化矽（SiC）晶圓製造，該領域又有新兵加入，格棋化合物半導體昨（2）日宣布，將於第4季登錄興櫃。

董事長張忠傑表示，看好全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，第三類半導體材料中的碳化矽仍為關鍵核心。全球碳化矽龍頭Wolfspeed日前宣布重整，台積電也退出氮化鎵（GaN）代工業務，市場關注第三代半導體未來發展。

張忠傑指出，碳化矽應用面愈來愈廣，因此公司挺進12吋大尺寸，已在中壢設立試產線。張忠傑說，6吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢，而8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定與成本效益最佳平衡。