格棋 秀大尺寸SiC材料解決方案 |格棋化合物半導體

SEMICONTaiwan2025格棋化合物半導體公司大秀最新大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，回應業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓迫切需求。

今年半導體展，格棋推出最新研製成果，包括原始粉體、8吋導電、半絕緣晶棒與晶圓，體現從原料到晶圓垂直整合能力，彰顯格棋SiC材料應用已從實驗室跨入量產的新里程碑。

■低缺陷密度8吋SiC主戰場

隨著電動車、高頻通訊與衛星應用擴張，8吋SiC晶圓成新一代功率元件材料核心。然而，「尺寸放大」本身並非技術終點，更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管、堆疊錯位、基底位錯等問題，建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控製程策略，有效將缺陷密度壓低至102/cm2以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。

今年格棋展出的五項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。

不論用於雷達與微波通訊高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。

■打造差異化本土SiC供應鏈

在全球8吋SiC晶圓仍多停留於實驗線階段之際，格棋已具備6吋SiC晶圓穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證，成為台灣少數真正跨越技術門檻的業者。透過整合日本與台灣長晶模組技術，格棋建立一套高重現性製程平台，包含種晶端純化處理、粉體雜質控制、碳包覆抑制技術與熱場模擬，確保晶體成長過程中結構穩定性與應力釋放曲線。

值得注意的，格棋在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量產標準，將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需求。另一方面，8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等具備訊號精度與散熱挑戰的高端應用，高附加價值成果難能可貴。

■吳義章博士獲SEMI半導體新銳獎

展會另一亮點，格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMITaiwan主辦之「20Under40半導體新銳獎」，表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。格棋創業初期吳義章即參與技術規劃與客戶驗證，也是「可交付材料文化」重要推手，促成團隊短時間內完成從研發導向快速跨越到客戶認證。

面對產業鏈重組，客戶對材料供應商高度疑慮下，格棋以「晶圓品質就是品牌信任」策略受到市場肯定，吳義章博士做出傑出貢獻，獲頒本屆SEMI半導體新銳獎。

■打造本土技術護城河主導產業

格棋強調，全球第三類半導體供應鏈重組，歐洲強化本地製造、中國低價搶市、美國祭出IRA戰略自主牌，未來台灣要扮演關鍵供應角色，勢必要從代工轉型材料供應主導者。

作為材料起家的技術型新創企業，格棋將持續推進可量產、可驗證、可信賴的SiC製造體系，逐步建立台廠的技術護城河。今年半導體展是格棋向全球宣示「低缺陷、高交付、在地製造」大戰略目標。