英飛凌推出採標準TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET

英飛凌科技宣布推出採用TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET系列產品，新型40V OptiMOS T2 MOSFET結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術，擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220、TO-262及TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現今擴散焊接黏晶技術僅適用於上述3種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。英飛凌的MOSFET新系列產品超越了現行歐盟RoHS對於含鉛銲錫封裝的規範，更嚴格的ELV RoHS標準可能將於2014年施行，屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式，作為業界首款無鉛封裝MOSFET，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理Frank Schwertlein表示：「英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今，英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商，提供汽車產業客戶因應未來，符合RoHS且環保之MOSFET，協助客戶開發節能的『綠色』產品。」英飛凌專利的無鉛黏晶(die attach)技術採用擴散焊接，可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質，此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60µm，標準為 175µm)，為功率半導體提供多項改良：舉凡環保的技術，不使用鉛及其他有毒物質。擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程：大幅降低封裝的導通電阻值RDS(on)。熱阻 (RthJC)改善率高達40- 50%：傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳，阻礙了MOSFET 接面之散熱。其他優點還包括：由於沒有焊錫流跡(Bleed-out)及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(on)與RthJC分布，提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力，也提升了產品可靠性和品質。從新款OptiMOS T2 40V(如：IPB160N04S4-02D，160A)的規格得知，其RDS(on)僅 2.0mΩ且RthJC僅0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品，其導通電阻降低了約20%。此外，英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗，讓新型OptiMOS T2產品擁有同級產品中最佳效能。