DRAM價穩 力晶營收大反彈 上月業績54.4億元暴增25% 與爾必達合建晶圓廠達經濟規模 成本結構優化

DRAM農曆年前走勢不淡，集邦科技（DRAMeXchange）昨（4）日最新現貨報價，512Mb有效測試顆粒（eTT）均價力守1美元關卡，1Gb顆粒更站穩2美元之上，為力晶（5346）等晶片製造商的營運增添助力。受惠價格回升，力晶昨天公布元月營收54.42億元，較去年12月大幅成長25.6%。力晶表示，元月出貨明顯增加，且價格逐步從谷底反彈，是元月營收大幅成長的主因；此外，力晶的70奈米製程良率穩定提升，加上現有三座12吋晶圓廠產能全數開出，以及與日商爾必達（Elpida）合資興建的晶圓廠已達經濟規模，使得力晶的成本結構更加優化。根據集邦報價，512Mb有效測試顆粒昨天午盤最低價重回1美元大關，均價達1.03美元，漲幅近1%，近一個月來均價已從0.8美元附近起漲，波段漲幅超過兩成；1Gb有效測試顆粒均價2.13美元，小漲0.63%，近月來漲幅也在兩成以上。分析師指出，日前512Mb有效測試顆粒最低價曾跌破1美元，市場擔心受中國農曆年前補貨效應即將結束，價格面臨下殺壓力，但目前看來，農曆年期間，部分業者歲修減少產出，年前仍有買盤積極搶貨，價格走勢仍有支撐力道，顯示整體買氣並未中斷，年後恢復正常營業，可能還有一波新的補貨潮，有助價格持續穩定，帶動業者營運反轉向上。DRAM業者對於價格走勢普遍樂觀，力晶董事長黃崇仁便直言「DRAM最壞的時間已經過去」，預期在這一波受擴產資金來源有限，而讓供給減少下，DRAM價格將一路向上，1Gb DDRII顆粒本季將在2.1至2.5美元震盪，第二季自2.5美元向上移動，下半年起將可彈升至3.5美元，第四季更可朝3.5美元以上發展。南科也預期，DRAM谷底翻揚態勢確立，下半年市場更可能面臨供給吃緊的狀況，屆時1Gb DDRII顆粒合約價格可望由目前的1.8美元附近回升至2.5至3美元，漲幅約在四成以上。