DRAM大漲 福懋科力成受惠

DRAM現貨價昨（5）日再度狂飆，明年將成為主流規格的DDRⅡ1Gb ett現貨價大漲10.42%，台塑集團旗下福懋科（8131）及力成（6239）兩大記憶體封測廠受惠可期，尤其近日DRAM價格強彈，模組廠直接受益，福懋科同時具備封測、模組兩大業務，受益程度最大，有機會補度蜜月行情」。記憶體封測業是目前半導體族群中，產業能見度最高的，多數廠商11月營收具創新高實力，第四季營運平均較第三季成長8%到10%，明年首季亦有機會再較第四季成長5%左右，DRAM價格止跌強彈，化解封測廠代工價格的下跌壓力，加上市場需求回溫、訂單回籠，類股近期可望上演一波上漲行情。法人點名看好福懋科及力成股價的補漲潛力。法人指出，福懋科目前本益比是台塑集團中相對較低的一檔，近期DRAM產業景氣出現好轉，福懋科明年保守估計可成長三至五成，短線股價有重回60元承銷價的機會。福懋科目前封裝約占五成比重，測試占26%左右、模組則占約22%。福懋科現有二座封測廠產能利用率年底前均呈現滿載。福懋科也正擴建三廠，預計明年2月可加入投產行列，並承接爾必達、奇夢達、南科、華亞科等大廠訂單。福懋科昨日上漲2.5元、收57.5元，成交量2,800餘張；力成昨日股價更大漲7.5元、收漲停板價117.5元，成交量近8,100張。DDRⅡ現貨貨昨天全面飆漲，1Gb ett產品單日漲幅更高達10.42%，報1.91美元，遠高於512Mb的4.65%的上漲幅度。DRAM製程從90奈米轉70奈米，市場預期1Gb的產品明年第二季將取代512M成為市場主流，由於1Gb產品測試時間拉長，將帶動相關記憶體封測廠營收、獲利走高。集邦科技表示，目前一顆DDRⅡ1Gb eTT價格已逼近二顆DDRⅡ512Mb eTT的價格，這將會帶動DDRⅡ1Gb eTT與DR Ⅱ512Mb eTT的世代交替，並加速2GB記憶體模組跨入主流市場。業界指出，1GB測試時間長於512Mb，明年一旦成為市場主流，將帶動記憶體封測產能吃緊。