Agilent ATF-501P8單電壓E-pHEMT 提供較多的通道數、高可靠度及採小型LPCC封裝

安捷倫發表一款最高線性度的E-pHEMT（增強模式的假相高電子遷移率電晶體）場效電晶體（ FET），這個新的低熱阻性版本採用小型的2mm x 2mm8接腳無引線塑料晶粒（LPCC）封裝。Agilent ATF-501P8單電壓E-pHEMT，已針對蜂巢式／PCS／WCDMA基地台、低地面軌道衛星系統、陸地多通道多點散佈系統（MMDS）、無線區域網路（WLAN）、無線區域迴路（ WLL）、無線固網、以及其他在 50 MHz到 6GHz頻率範圍內操作的服務中所使用的發射器功率放大器和接收器低雜訊放大器而優化。在 2GHz的頻率下，單電壓操作的 ATF-501P8可提供 +45.5 dBm的第三級輸出截點（OIP3），以提高多通道放大器的效率，使其能夠處理更多的語音和數據通道ATF-501P8具有僅23 oC/W的低熱阻性（採用傳統LPCC 封裝的類似元件之熱阻性則為 33 oC／W ），在周圍溫度達 +85（C時幾乎可散熱2W，同時能維持晶片的溫度，以確保較高的可靠度。ATF-501P8在 2 GHz的頻率下，還提供了 +29dBm的線性輸出功率（P1dB）、15 dB的增益和65％的電力延長效率，以及1.0 dB的低雜訊指數。它的尺寸僅2mm x 2mm，可節省寶貴的印刷電路板空間。安捷倫依然是業界唯一提供單電壓操作的 E-pHEMT元件的廠商。單電壓操作、高功率效率及優異的RF效能，使安捷倫的E-pHEMT元件成為取代擁有較高雜訊指數的單電壓 HBT ，以及雙電壓的傳統 PHEMT 和GaAs HFET（異質結構FET）元件的必然選擇。