英飛凌推出高效率應用的高壓 MOSFET

英飛凌科技擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold(G7)系列，能夠以600V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面 MOSFET 效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度。600V CoolMOS P7：高效率和易用性的最適組合新推出的P7在一體化設計的流程中提供出色的易用性，基準的效率和最佳的性價比，目標應用包括充電器、適配器、照明、電視、PC 電源、太陽能、伺服器、電信及EV充電等，可涵蓋100W至15kW的功率等級。600V CoolMOS P7可在各種拓樸中實現多達1.5%的效率提升，溫度改善亦較競爭產品多達4.2°C。600V CoolMOS P7產品擁有37mΩ至600mΩ的寬廣通態電阻RDS(on)範圍，提供表面黏著(SMD)或插入型封裝，適合多種應用與功率範圍。此外，超過2kV(HBM)的卓越ESD耐用性，可保護裝置避免因生產過程中的靜電放電而損壞，進而提升了製造品質。最後，強固的本體二極體則能在LLC電路的硬式換流事件中保護裝置。600V CoolMOS C7 Gold：創新SMD TO無引線封裝實現同級最佳FOMG7具有更低的通態電阻RDS(on)、最小的閘極電荷QG、更低的輸出電容儲存電力以及TO無引線封裝提供的4接腳Kelvin源極功能，可將 PFC與LLC電路的耗損降到最低，實現0.6%的效能提升，並提高PFC電路的全負載效率。低寄生源電感僅1nH，亦有助於提高效率水準。TO無引線封裝擁有更佳的散熱性，適用於更高電流的設計。而SMD技術則有利於節省黏著製程成本。此外，600V CoolMOS C7 Gold 擁有業界最低的 RDS(on)，介於 28mΩ至150mΩ。相較於傳統的D2PAK封裝，其尺寸縮小30%、高度減少50%、空間節省60%。綜合上述特性，使本產品極適合應用於伺服器、電信、工業與太陽能等需求最高效能與基準功率密度的應用。