集邦DRAM合約報價 11月下旬跌5％

集邦科技最新ＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ　ＦＬＡＳＨ合約報價出爐。反應現貨行情下探，十一月下旬ＤＲＡＭ合約報價平均跌幅約五％，Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ則為持平、穩健狀態。集邦科技表示，在年終假期銷售旺季前需求支撐下，短期ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價可望趨於平穩；一旦下游客戶年終假期銷售狀況不錯，未來傳統淡季來臨時ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價回跌幅度比較有限。此外，ＤＲＡＭ目前１Ｇｂ　ＥＴＴ也跌破二美元大關，均價一．七五美元，在跌幅過快之際，預期明年第二季１Ｇｂ可望成終端市場的主流規格。十一月上旬ＤＤＲ２　６６７　１ＧＢ記憶體模組平均成交價約落在二二美元，隨著現貨價格持續下滑與十月出貨旺季已過，ＯＥＭ廠商普遍拿貨意願不高。由於現貨、合約價格價格仍有一○％空間，十一月下旬合約價持續微幅下探。集邦科技指出，目前一顆ＤＤＲ２　１Ｇｂ　ｅＴＴ的價格已逼近二顆ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ　ｅＴＴ價格，將會正式帶動１ＧｂＴ與５１２Ｍｂ的世代交替，並加速２ＧＢ記憶體模組跨入主流市場。以ＤＤＲ２　１ＧＢ記憶體模組來說，使用ＤＤＲ２　１Ｇｂ　ｅＴＴ顆粒只需打上單面的顆粒，不但節省打件時間，也可省下部份元件費用，整體加工費約可減少八％，對於模組廠而言，也為另一種蹲節成本方法。集邦科技認為，Ｖｉｓｔａ　ＳＰ１將於明年釋出，預期今年底前搭載２Ｇｂ記憶體的筆記型電腦與桌上型電腦的比重將達六○％至七○％水準。而在１Ｇｂ顆粒量產規模上，則是持續擴大，明年第二季１Ｇｂ顆粒可望取代５１２Ｍｂ顆粒，成為市場主流。此外，由於Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ下游客戶十一月上旬庫存水位已有效降低，部份廠商於十一月下旬開始準備年底銷售旺季所需的晶片，因此帶動合約報價持平。力晶已在１２Ａ廠以９０奈米投片生產４Ｇｂ　ＡＧ－ＡＮＤ晶片，單月生產量已達二千片；通用規格的８Ｇｂ、４Ｇｂ　ＮＡＮＤ　ＦＬＡＳＨ以７０ｎｍ試產，最快將在明年首季可以量產。茂德正以中科１２吋廠採７０ｎｍ技術，進行４Ｇｂ、８Ｇｂ　ＭＬＣ晶片試產，期望明年下半年再開始量產。