NAND供應與需求同步攀高

礙於國際大廠製程轉換不順，加上三星八月突發性停電，第三季全球NAND快閃記憶體位元產出成長率僅三成，報價小漲。展望第四季，新製程產能大舉開出，位元成長率達四五％、為今年最高，另外耶誕採購效應將帶動需求面上揚，因此市況與報價均趨向穩定。集邦昨（六）日公佈第三季全球NAND產業報告，品牌廠商第三季NAND營收總額逼近三十九億美元，比第二季成長三六．八％，而單季位元產出成長率為三成，就個別廠商來說，三星穩坐龍頭寶座，東芝居次，至於海力士、美光和英特爾營收也都有顯著的成長。雖然廠商在第三季有提高NAND的投片量及MLC的生產比重，但由於部份廠商五○與六○奈米新製程仍處在調整期階段，因此整體的位元出貨量，僅比第二季成長三成，反觀需求面，第三季為傳統NAND下游客戶的備貨旺季，加上三星八月初突發的停電事件影響，造成市場供應吃緊，而第三季均價上漲約五％以上。個別廠商部份，三星的器興(Giheung)廠區八月初停電，使產出量稍微受到影響，加上五○奈米新製程技術仍處於調整期，因此單位元出貨量僅較第二季成長約三％。亞軍的東芝第三季因增加Fab三的十二吋廠產出，加上製程提升，因此第三季市佔與前季相近。海力士將十二吋的M十廠投入NAND產出，因此第三季位元成長率高達九二％，但也因產出比例勇冠同業，因此祭出促銷策略，導致第三季均價小跌六％。英特爾與美光合資的IM Flash在第三季受惠於NAND價格持續上漲，與投片量及製程技術提升，帶動美光與英特爾的NAND營收分別都比第二季大幅成長。意法半導體方面，在第三季來自MCP（多晶片封裝技術）的相關應用業務仍持續增加，另外今年底前，意法也計劃與英特爾合資成立Numonyx來生產Flash記憶體的產品。瑞薩自今年起將會持續降低自有AG-AND快閃記憶體的生產比重，並轉由合作夥伴力晶為其代工。展望第四季，受美次級房貸風暴拖累，市場買氣不如預期，NAND價格在九至十月間出現超過二成跌幅，但因價格下滑近期買氣已略有加溫跡象，預計十一月中後耶誕買氣將陸續出爐。至於供給面部分，三星與東芝等在七八月遭遇五○奈米轉換不順問題已解決，加上海力士六○奈米與IM Flash五○奈米新產能開出，因此第四季位元產出成長率將達四五％，而第四季雖會小幅供給過剩，但情況不嚴重，因此報價將趨向穩定，至耶誕後才會出現顯著跌幅。