補丁科：AI記憶體拚架構創新

AI記憶體競爭從「堆得更高」走向「架構更聰明」。補丁科技（7 947）董事長丁達剛指出，AI應用由Training走向Inference，決勝關鍵不只是HBM堆疊層數，而是DRAM架構設計。

他說，誰能讓資料搬得更快、路徑更短、功耗更低，誰就有機會突破AI運算的「Memory Wall」瓶頸。

補丁科將於16日以每股740元參考價登錄興櫃，市場關注是否有機會成為記憶體族群第四檔千金股。

丁達剛表示，「3D大家都可以做，買設備、做製程，慢慢都會」。補丁科押注的是DRAM架構。他以做菜比喻，3D設備就像鍋具，「鍋子大家都有，真正的差別，是會不會炒菜。」

補丁科早期從標準DRAM、pSRAM切入，2014年投入高頻寬、低延遲 DRAM技術開發，2016年首次流片，2017年於ISSCC發表成果。

當時市場尚未成熟，該公司一度面臨資金及營運壓力，如今高頻寬、低延遲已為記憶體產業重要方向。

丁達剛指出，AI的瓶頸，不只是CPU、GPU算得夠不夠快，而是資料能不能及時送到運算核心。AI Training仍以HBM為主，重視大容量與高頻寬；但Cloud Inference同時服務大量使用者，更重視延遲、能源效率及第一個Token出現的速度。

Edge Inference進入手機、AI PC、AR／VR及機器人後，必須兼顧功耗與成本，Near Memory的重要性提高。補丁科技術聚焦特殊DRAM 架構、3D Wafer-on-Wafer（WoW）及Known Good Die（KGD）三大領域。

合作方面，南亞科持有補丁科約34％股權，為最大股東及DRAM製造夥伴，負責提供製程與量產能力，補丁科則負責特殊記憶體架構與客製化設計，再與AI客戶及先進邏輯晶圓代工廠，共同推進Near Memo ry專案。

隨AI專案逐步落地，補丁科AI Pieces營收占比，2026年上半年已升至約40％，相關專案預期2027年起陸續量產，未來收入將由NRE延伸至Royalty及Turnkey，成為下一階段成長動能。