DPC技術：高溫下的覆銅陶瓷基板設計與應用

DPC技術與陶瓷基板

隨著電子元件對高溫環境下工作的需求不斷提高，DPC（磁控濺鍍製程）覆銅陶瓷基板作為一種高溫穩定性強、熱導率高的散熱材料得到了廣泛的應用。本文將從材料、結構、製程等方面，探討DPC覆銅陶瓷基板的設計與應用。

材料選擇

選擇高溫穩定性好、熱傳導率高的陶瓷基板非常關鍵。常用的陶瓷材料有Al2O3、AlN、Si3N4等。以Al2O3為例，其熱導率高達24~30W/(m·K)，熱膨脹係數約為8.2×10^-6/℃，與大多數晶片的熱膨脹係數相似。基板表面的陶瓷層應該光滑均勻，並具有良好的附著力、抗氧化性、耐磨性和耐腐蝕性。

散熱性能

DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能是影響其在高溫環境下工作的關鍵因素之一。為了測試DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能，可以採用熱電偶測溫法、紅外線測溫法、熱像儀等測試方法。實驗結果表明，DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能較好，可以有效散熱，並降低溫度對電子裝置的影響。

結構設計

DPC覆銅陶瓷基板的結構設計包括銅箔厚度、孔徑大小、銅箔的佈局方式和陶瓷基板的厚度等。銅箔厚度的選擇應該根據散熱要求和晶片功率密度等參數來決定。銅箔的佈局方式有兩種，一種是全面鋪銅，即銅箔鋪滿整個基板表面；另一種是局部鋪銅，即只在晶片周圍區域鋪設銅箔。局部鋪銅的方式可以減少銅箔面積，降低成本，但銅箔與基板的附著力需要更高。陶瓷基板的厚度也需要根據特定的應用需求來選擇。

製程

DPC製程是將金屬材料蒸發成分子，然後在陶瓷基板表面產生一層金屬膜的過程。其主要製程包括清洗基板表面、陶瓷基板的熱處理、金屬材料的靶材製備、靶材的負偏壓DPC 、薄膜厚度的測量和表面處理等。其中，熱處理可以提高陶瓷基板的熱穩定性和附著力，確保覆蓋的銅箔在高溫環境下不會剝離。

DPC覆銅陶瓷基板在哪些領域有應用？

DPC覆銅陶瓷基板在高溫環境下的應用領域主要包括電力電子、航空航太、核工業等領域。在電力電子領域，DPC覆銅陶瓷基板可應用於IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）等功率元件的散熱；在航空航太領域， DPC覆銅陶瓷基板可用於導航儀、雷達等高溫環境下的電子設備的散熱；在核工業領域，DPC覆銅陶瓷基板可以應用於核反應器中的電腦和儀器的散熱等。

DPC技術在未來的發展趨勢是什麼？

隨著科技的進步和市場需求的變化，DPC技術在未來可能會有以下的發展趨勢：

1. 更高的導熱性能：隨著電子設備功率的提升，對基板的導熱性能要求也會更高。未來，DPC技術可能會通過改進材料和製程，實現更高的導熱性能。

2. 更薄的基板厚度：為了滿足電子設備的輕薄化需求，DPC技術可能會發展出更薄的基板。這需要解決在保證基板強度和導熱性的同時，實現基板厚度的降低。

3. 更廣泛的應用領域：隨著DPC技術的成熟和推廣，其應用領域可能會進一步擴大。除了現有的電力電子、航空航太、核工業等領域外，DPC技術可能還會在新能源、通信、醫療等領域找到新的應用。

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常見問題及答案

1. 問：DPC技術的主要優勢是什麼？ 答：DPC技術的主要優勢是能在陶瓷基板上直接鍍上一層銅膜，形成一個高導熱、高電導的金屬層。這使得DPC覆銅陶瓷基板具有良好的散熱性能，適合用於高溫環境下的電子設備。

2. 問：DPC覆銅陶瓷基板在哪些領域有應用？ 答：DPC覆銅陶瓷基板在高溫環境下的應用領域主要包括電力電子、航空航太、核工業等領域。

3. 問：DPC技術在未來的發展趨勢是什麼？ 答：隨著科技的進步和市場需求的變化，DPC技術在未來可能會有更高的導熱性能，更薄的基板厚度，以及更廣泛的應用領域。

4. 問：DPC技術的主要製程包括哪些步驟？ 答：DPC技術的主要製程包括清洗基板表面、陶瓷基板的熱處理、金屬材料的靶材製備、靶材的負偏壓DPC 、薄膜厚度的測量和表面處理等。其中，熱處理可以提高陶瓷基板的熱穩定性和附著力，確保覆蓋的銅箔在高溫環境下不會剝離。

參考內容

高溫下DPC（磁控濺鍍製程）覆銅陶瓷基板的設計與應用

隨著電子元件對高溫環境下工作的需求不斷提高，DPC （磁控濺鍍製程）覆銅陶瓷基板作為一種高溫穩定性強、熱導率高的散熱材料得到了廣泛的應用。本文將從材料、結構、製程等方面，探討DPC覆銅陶瓷基板的設計與應用。

一、材料選擇

選擇高溫穩定性好、熱傳導率高的陶瓷基板非常關鍵。常用的陶瓷材料有Al2O3、AlN、Si3N4等。以Al2O3為例，其熱導率高達24~30W/(m·K)，熱膨脹係數約為8.2×10^-6/℃，與大多數晶片的熱膨脹係數相似。基板表面的陶瓷層應該光滑均勻，並具有良好的附著力、抗氧化性、耐磨性和耐腐蝕性。

散熱性能：DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能是影響其在高溫環境下工作的關鍵因素之一。為了測試DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能，可以採用熱電偶測溫法、紅外線測溫法、熱像儀等測試方法。實驗結果表明，DPC覆銅陶瓷基板的散熱性能較好，可以有效散熱，並降低溫度對電子裝置的影響。

二、結構設計

DPC覆銅陶瓷基板的結構設計包括銅箔厚度、孔徑大小、銅箔的佈局方式和陶瓷基板的厚度等。銅箔厚度的選擇應該根據散熱要求和晶片功率密度等參數來決定。銅箔的佈局方式有兩種，一種是全面鋪銅，即銅箔鋪滿整個基板表面；另一種是局部鋪銅，即只在晶片周圍區域鋪設銅箔。局部鋪銅的方式可以減少銅箔面積，降低成本，但銅箔與基板的附著力需要更高。陶瓷基板的厚度也需要根據特定的應用需求來選擇。

三、流程

DPC製程是將金屬材料蒸發成分子，然後在陶瓷基板表面產生一層金屬膜的過程。其主要製程包括清洗基板表面、陶瓷基板的熱處理、金屬材料的靶材製備、靶材的負偏壓DPC 、薄膜厚度的測量和表面處理等。其中，熱處理可以提高陶瓷基板的熱穩定性和附著力，確保覆蓋的銅箔在高溫環境下不會剝離。

四、應用領域

DPC覆銅陶瓷基板在高溫環境下的應用領域主要包括電力電子、航空航太、核工業等領域。在電力電子領域，DPC覆銅陶瓷基板可應用於IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）等功率元件的散熱；在航空航太領域， DPC覆銅陶瓷基板可用於導航儀、雷達等高溫環境下的電子設備的散熱；在核工業領域，DPC覆銅陶瓷基板可以應用於核反應器中的電腦和儀器的散熱等。

IGBT模組結構模組

總之，DPC覆銅陶瓷基板的設計和應用需要考慮多方面的因素，並且需要進行大量的實驗和數據分析。透過選擇合適的材料、設計合理的結構和工藝，可以提高DPC覆銅陶瓷基板在高溫環境下的性能和可靠性，為電子裝置的高溫應用提供保障。

熱是影響高功率半導體元件可靠度的關鍵因素，根據化合積電，電子元件55%故障率來自熱失效，電子元件溫度每升高2 度，可靠度下降10%。電子元件裝置熱管理包括封裝和系統性能兩個部分。從封裝角度出發，元件散熱主要依靠熱傳導方式，熱量沿著晶片-鍵結層-基板-散熱器傳導，最後透過對流耗散到空氣中。封裝基板作為高功率半導體裝置重要的散熱通道，其選擇和結構設計對性能至關重要。

常用的基板材料主要有塑膠基板、金屬基板、陶瓷基板和複合基板四大類。目前，陶瓷由於具有良好的機械性能和熱性能而最受矚目。陶瓷基板由陶瓷基片和佈線金屬層兩部分組成，金屬佈線是透過在陶瓷基片上濺射、蒸發沉積或印刷各種金屬材料來製備薄膜和厚膜電路。在陶瓷基板的製作過程中，粉體、基片和金屬化是影響基板熱導率、機械強度等關鍵性能的核心工序。

陶瓷基板應用領域的拓展

陶瓷基板的產業鏈中蘊含龐大商機與市場需求，特別是在以下五個應用領域：

1.高鐵、新能源車、風力發電、機器人、5G基地台用IGBT；

2.智慧型手機背板和指紋辨識；

3.新一代固體燃料電池；

4.新型壓力感測器和氧氣感測器；

5.LD/LED散熱、雷射系統、混合式積體電路。

捷多邦陶瓷基板廣泛應用於半導體晶片封裝、感測器、通訊電子、手機等智慧終端、儀器儀表、新能源、新光源、汽車高鐵、風力發電、機器人、航太航空和國防軍工等領域。我們致力於為客戶提供高品質的高精密陶瓷基板產品，滿足各類電子設備對高性能基板的需求。

1.1.氮化鋁基片技術壁壘高，「卡脖子」環節國產化突破

氮化鋁為高功率半導體優選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化矽（Si3N4）4 種材料是已投入生產應用的主要陶瓷基板材料，其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率元件最常用的陶瓷基板，市佔率達80%以上。氮化鋁陶瓷比氧化鋁陶瓷具有更高的熱導率， 在高功率電力電子等需要高熱傳導的裝置中逐漸取代氧化鋁陶瓷，應用前景廣闊。氮化鋁基片製備技術壁壘高，粉體配方和基片燒結是核心。氮化鋁陶瓷片的製備主要步驟包括粉末製備、粉末成型、陶瓷基片燒結。

目前工業化製備製程有兩個痛點：1）粉體製備：高純度的氮化鋁粉體，能提升基片的導熱能力。目前製備氮化鋁粉體的方法有碳熱還原法、直接氮化法、自蔓延高溫合成法、化學氣相沉積法、等離子法等，熱碳還原法和直接氮化法是目前工業化生產的主流工藝，具備技術成熟、設備要求簡單、得到的產品品質好等優點。

2）燒結製程：引入燒結助劑是目前氮化鋁陶瓷燒結普遍採用的一種方法，一方面是形成低溫共熔相，實現液相燒結，促進坯體緻密化；另一方面是去除氮化鋁中的氧雜質，完善晶格，提高熱導率。根據潮州三環試驗數據，隨著燒結助劑含量增加，基板成瓷密度隨之上升，而導熱率在燒結助劑添加量為1.5%時達到最高；隨著燒結溫度的升高，氮化鋁成瓷密度、晶粒尺寸及導熱率呈現不斷上升的趨勢， 在1800℃時密度趨於穩定，而基板的抗折強度則是先上升，在1750℃時達到最大值後開始下降。選擇合適、合量的燒結助劑能夠降低氮化鋁基片達到最高熱導率所需的溫度，在確保基板熱導率達到最高理論值的同時降低生產成本。

高階氮化鋁基片「卡脖子」環節國產化突破。根據QY Research，2021 年全球氮化鋁（AlN）陶瓷基板市場銷售額達到了0.7 億美元，預計2028 年將達到1.3 億美元，年複合成長率（CAGR）為10.0%（2022-2028）。國內氮化鋁陶瓷技術水準及產業化程度落後國外，高階氮化鋁陶瓷基片主要依賴進口。一方面原料高性能氮化鋁粉體高度依賴進口，批次穩定性、成本限制國內高端氮化鋁陶瓷基片製造的發展；另一方面高端氮化鋁陶瓷基片核心製造技術被國外技術封鎖和壟斷，國外知名企業視其為市場主要競爭力。國瓷材料依托多年技術積累，透過自主研發攻克了高端氧化鋁粉體-基片、氮化鋁粉體-基片的核心技術並實現量產，氮化矽粉體和基片已實現中試量產，強力推動陶瓷基板產業鏈卡脖子環節國產替代， 現已成為國內陶瓷基板企業的重要供應商。

1.2.DPC金屬化設備昂貴，電鍍牌照推高進入壁壘

陶瓷基板在燒結成型之後，需對其表面實施金屬化，然後透過影像轉移的方法完成表面圖形的製作，以實現陶瓷基板的電氣連接性能。常見表面金屬化製程包括高溫/低溫共燒陶瓷技術（HTCC/LTCC）、薄膜技術（TFC）、直接鍵結銅技術（DBC）、直接電鍍銅技術（DPC）、活性金屬焊接技術（AMB）等。

濺鍍和電鍍為DPC 製程核心。根據《電子封裝陶瓷基板》程浩等，DPC 陶瓷基板製備前端採用了半導體微加工技術(濺鍍膜、光刻、顯影等)，後端則採用了印刷線路板(PCB)製備技術(圖形電鍍、填孔、表面研磨、蝕刻、表面處理等)，其中濺鍍種子層決定了金屬線路層與陶瓷基板的結合強度，電鍍填孔製程則決定了沉積效率及表面鍍層平整度。製程特色包括：1）採用半導體微加工技術，陶瓷基板上金屬線路更加精細(線寬/線距可低至30~50，與線路層厚度相關)，因此DPC 基板非常適合對準精度要求較高的微電子裝置封裝；2）採用雷射打孔與電鍍填孔技術，實現了陶瓷基板上/下表面垂直互聯，可實現電子裝置三維封裝與集成，降低裝置體積；

3）採用電鍍生長控制線路層厚度(一般為10 ~ 100)， 並透過研磨降低線路層表面粗糙度，滿足高溫、大電流裝置封裝需求；4）低溫製備製程(300°C 以下) 避免了高溫對基片材料和金屬線路層的不利影響，同時也降低了生產成本。

前期設備投資額較高。 DPC 金屬化設備投資額大，前端真空磁控濺鍍機、 後端電鍍及蝕刻設備投資高且製程複雜。根據華經產業研究院，中國真空鍍膜機供給不足，大多產品依賴進口，整體真空鍍膜機產業的產品結構有待調整。

電鍍牌照推高進入障礙。電鍍工序高能耗高廢水，法律、行政進入障礙不斷加強。發改委2021 年7 月印發的《「十四五」循環經濟發展規劃》強化重點產業清潔生產，推動石化、電鍍、化工等產業制定清潔生產改造計畫；2021 年11 月， 工信部發布《「十四五「工業綠色發展規劃》強化重點產業清潔生產改造工程；地方省市對電鍍業環保要求進一步提高，例如進行落後產能的專項整治、倡導污染防治、電鍍污水資源化處理、設立電鍍企業入園標準以及相關檢舉獎懲制度等。 2022 年10 月，國瓷材料公告收購中國大陸DPC 陶瓷基板頭部企業賽創電氣100%股權，由先進陶瓷粉體和基片環節進入先進陶瓷基板解決方案的產業鏈環節，完善陶瓷粉體-陶瓷基片-陶瓷基板產業鏈垂直一體化佈局，業務範圍和下游應用領域得到長期和幾何級數律的進一步拓展，盈利能力、抗風險能力也將進一步加強。

2.下游需求多點開花，DPC基板高速發展

DPC 陶瓷基板隨下游推廣及國產替代品進入快速發展新階段。 DPC 陶瓷基板主要應用於高功率照明（HPLED）、雷射（LD）、光通訊（ VCSEL）、熱電冷卻（TEC）等領域。根據HNY Research 發布的數據，2021 年DPC 陶瓷基板的市場規模約為21 億美元，預計2027 年將達到28.2 億美元，2021-2027 年複合成長率為5.07%。全球高階DPC 陶瓷基板主要廠商包括日本京瓷、日本丸和、 中國台灣同欣等，CR5 達70%，目前DPC 金屬化技術已被國內包括賽創電氣（銅陵）、江蘇富樂華、博敏電子在內的廠商掌握，進口替代空間廣闊。

2.1.HPLED：工商業照明滲透率提升，景觀與汽車照明需求維持成長

氮化鋁DPC 陶瓷基板已成為高功率LED 的必需品。 HPLED（高功率發光二極體）作為第四代電光源，相較白熾燈、螢光燈等傳統光源，具備體積小、效率高、壽命長、電光轉換效率高、綠色環保等優勢，在戶外及工業照明市場獲得廣泛應用，並逐步滲透到汽車前燈、手機閃光燈、紫外線LED 燈等新興領域。由於陶瓷基板具有高絕緣、高導熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是採用垂直通孔技術的DPC 陶瓷基板，可有效滿足倒裝共晶、COB(板上晶片封裝)、CSP(晶片尺寸封裝)等技術白光LED 封裝需求。

白熾燈替換需求背景之下，我國LED 照明產品滲透率不斷提升。根據國家半導體照明工程研發及產業聯盟產業研究院（CSA）數據顯示，2021 年我國LED 照明產業市場規模達9,428 億元，年增9.3%，預估2022 年我國LED 照明產業市場規模可望達到1,0085 億元。技術發展以及產業化、商業化過程的推進，推動LED 在民用、商用、工業領域的廣泛應用，市場邊界不斷拓展和延伸。 2021 年LED 下游通用照明47%、顯示器15%、景觀照明11%、背光應用7%、汽車照明2%、訊號及指示1%、其他17%。隨著LED 不斷取代白熾燈，我國LED 照明產品滲透率不斷提升，從2017 年65%提升至2021 年80%。

1）景觀照明：道路照明替代需求龐大，文旅景觀照明仍維持成長。隨著城鎮化帶動城鎮建設升級、新技術帶動智慧化浪潮、夜間經濟和文旅經濟帶動光環境的營造，景觀照明持續為高功率LED 產業提供成長動能。我國城市道路長度2021 年接近50 萬公里，道路照明用燈超3000 萬盞，而根據中國照明電器協會統計，目前道路照明以高壓鈉燈為主（48.3%），其次LED（29.6%），LED 替代需求龐大。此外，根據CSA 市場研究及中國照明電器產業協會等相關產業組織統計，LED 佔景觀照明光源80%以上。預計2025 年景觀照明市場規模將達1,468.66 億元。

2）汽車照明：汽車產銷復甦拉動照明需求，LED 汽車頭燈滲透率持續提升。根據中國汽車工業協會預測，2022 年汽車總銷量達2,686.4 萬量，年增2.1%，其中新能源汽車超680 萬輛，較去年同期成長90.3%。 LED 近年來在新能源汽車高速發展以及汽車新四化趨勢下滲透率不斷攀升。根據TrendForce 集邦諮詢分析，2021 年LED 頭燈滲透率於全球乘用車達到60%，其中電動車的LED 頭燈滲透率更高達90%，預計2022 年將分別提升至72%與92%。智慧頭燈中自適應遠光燈(ADB Headlights) 現階段以矩陣式(Matrix LED) 技術的出現將帶來更多LED 需求，其主流設計搭配12-100 顆LED，根據TrendForce，自適應性頭燈(ADB Headlight) 市場滲透率於2022 年僅3.2%，預期2026 年將有機會達到13.2%。

2.2.雷射熱沉：光纖雷射國產化率提升，降本訴求促進國產雷射熱沉產業化

氮化鋁陶瓷基板為目前主流雷射熱沉基板。高功率半導體雷射具有光電效率高、易調製、體積小、重量輕等優點，在工業製造、材料加工、科學研究和醫療衛生領域都有廣泛應用。雷射為雷射設備核心零件，由泵浦源、增益介質、諧振腔組成，泵浦源由一個或多個高功率雷射二極體（LD）陣列構成。隨著高功率半導體雷射的發展，高功率LD 的出光功率從20W/bar 已經發展到現在的200W/bar 以上。 LD 電光效率典型值約50%，其出光功率越高，轉換的廢熱就越多。通常LD 的尺寸很小，工作時熱流密度極高，若無法及時散熱，可能會降低雷射的輸出功率、電光轉換效率，甚至減少雷射使用壽命或導致雷射器失效。高功率半導體雷射主要透過熱沉散熱，由於過渡熱沉與晶片緊密貼裝，需具有高導熱係數及匹配的熱膨脹係數，目前氮化鋁熱沉為主流散熱材料。

雷射設備、雷射國產化率提升帶動市場規模快速成長。根據《中國雷射產業發展報告》，中國雷射技術迎來快速發展階段並逐步實現產業化佈局，一方面，國產雷射無論從品質、技術或服務均在競爭中逐步顯現優勢，可望實現進口替代；另一方面，相較於傳統製造技術，雷射技術的應用成本效益顯著，也因此雷射應用得以快速普及。 2021 年中國雷射設備市場銷售收入821 億元，較上年成長18.64%。我國雷射器國產化率不斷提高，逐步實現由依賴進口向自主研發，進口替代到出口的躍進。國內光纖雷射2021 年市場規模達124.8 億元，較去年同期成長32.5%。目前3kW 至6kW 產品段國內市場的競爭激烈，而在10kW 以上超高功率或如光電、新能源等高階細分應用市場仍有較大替代空間。

2016至2021年大功率光纖雷射國產化率由6.56%提升至76.19%。隨著國內光纖雷射企業綜合實力的不斷崛起，國內市場佔有率逐步向銳科雷射、創鑫雷射、傑普特等一批優秀國內企業轉移，國外廠商，如IPG 光子、恩耐、傑普特在國內的市佔率由2020 年的43.1%縮減至2021年的36.3%。在高功率雷射市場上，國外廠商的市場表現仍然更為強勁。

雷射廠商降本訴求可望加速雷射熱沉國產化率提升。根據華經產業研究院， 連續光纖雷射總的成本結構中，泵浦源、主動光纖、被動光纖元件是最主要的成本來源，佔比分別為25.5%、19.6%及12.6%。其中泵浦源中雷射熱沉因來源進口，採購成本佔比相對較高。目前國內雷射熱沉基板90%以上的採購量來自日本和美國，尤其是日本京瓷和丸和兩家企業。

2.3.車載雷射雷達：車載雷射雷達量產上車，VCSEL取代EEL大勢所趨

車載雷射光源VCSEL 取代EEL 大勢所趨，DPC 在高功率VCSEL 元件封裝中佔據重要地位。雷射光源是車載雷射雷達核心元件之一，需綜合考慮應用環境、技術方案、性能需求及成本需求，目前常用光源包括邊發射雷射(EEL)、垂直腔面發射雷射(VCSEL)、光纖雷射等。 VCSEL 光源相較目前主流EEL 光源具有低製造成本、高可靠性、小發散角、易於二維整合的優勢，隨著多層結技術發展帶動功率密度提高，VCSEL 取代EEL 趨勢日益顯著。 VCSEL 光電轉換效率僅30-60%，導致其有熱負荷過高問題。由於DPC 陶瓷基板具備高導熱、 高絕緣、高線路精準度、高表面平整度、高可靠垂直互聯及熱膨脹係數與晶片匹配等諸多特性，更適用於其垂直共晶焊接，在高功率VCSEL 元件封裝中佔重要地位。

全球光達高速發展，中國供應商加速崛起。隨著汽車智慧化變革的推進及高階自動駕駛技術的發展，根據Yole 預測，全球用於ADAS（高級駕駛輔助系統）領域的雷射雷達出貨量將由2021 年6.8 萬台迅速成長至2027 年的445.4 萬台；對應市場規模由2021 年0.38 億美元增至2027 年的20 億美元，成為光達產業最大的應用領域。到2027 年，私家車雷射雷達滲透率將由2022 年0.18% 提升至3%。從ADAS 前裝量產定點數量來看，自2018 年以來，在全球範圍內官宣的ADAS 前裝定點數量大約有55 個，其中中國激光雷達供應商佔其中的50%。禾賽科技以27%的前裝定點數量排名全球第一，速騰聚創以16%的數量排名中國第二、全球第三。

車載雷射雷達隨國內自動駕駛蓬勃發展實現量產上車。根據高工智慧汽車研究院，2022 年中國市場（不含進出口）乘用車前裝配標配雷射雷達交付12.99 萬顆， 配套新車11.18 萬輛，同比分別增長1544.3%和2626.82%，預計2023 年標配交付衝刺40-50 萬顆規模。根據禾賽科技，大多數905nm 雷射雷達廠商的新產品都會採用VCSEL 作為光源。 2022 年9 月29 日，禾賽科技AT128 搭載首款量產車型理想L9 實現單月交付量突破10000 台，後續隨著理想多款車型上市交付，單一客戶規模化交付確定性明確。