FA＋MA＋SA一站服務 提升客戶黏著度 |汎銓科技

低介電材料（Low K）與7nm+之後的製程，使用的EUV光阻，由於材料天性，以電子顯微鏡觀察微結構與成分時，容易因電子束照射導致樣品變形甚至倒塌。汎銓數年前投入開發原子層沉積技術（ALD），在樣品外層形成保護，如同為檢測材料穿上一層盔甲，可真實呈現原貌，避免電子束的照射產生變形，導致誤判、走錯研發方向。

值得注意的是，在5奈米製程以下，除了鰭式場效電晶體（FinFET）架構的製程外，環繞閘極（GAA）的架構者多年前即受到市場關注，先進晶圓廠與國外著名研究機構均投入研發，未來有可能取代FinFET架構。汎銓在GAA架構研發上也沒缺席，與多家客戶合作，藉由汎銓的高品質TEM影像與元素分析，加速客戶研發時程。

Beyond Moore新世代元件方面，為了符合物聯網（IoT）低功耗的需求，半導體晶圓廠也積極開發新型記憶體，除了SRAM、DRAM、NAND及NOR Flash等記憶體外，MRAM、ReRAM、PCRAM等新產品也逐漸成熟；具有低耗能與非揮發性的MRAM，由多層僅數奈米厚度的不同材料堆疊而成，蝕刻後的材料分析藉由汎銓的高品質TEM影像與元素分析，可以加速研發時程。

More than Moore多樣特性元件研發方面，隨著5G商用興起及電動車用電子的強勁需求，GaN與SiC元件深具潛力並深受關注。5G基地台收發高頻訊號需要更大能量密度，適合高頻載波且承受高電流與耐高壓的GaN為最佳材料；SiC功率元件滿足電動車用電子輕量化、小型化與耐超高電壓的需求，製程研發需要MA材料分析，二次離子質譜儀（SIMS）分析也至關重要。去（2019）年第3季汎銓引進SIMS分析，結合原有分析能量，提供高精準空間與濃度解析服務。

封裝廠在More than Moore的發展中也居要角，Moore定律發展到28nm時，先進製程接近物理極限，晶片經濟利潤也無法經微縮得到明顯效應。藉由Integrated Fan-Out、FOWLP、FOPLP與3D異質結合封裝等創新封裝技術，使廣義的摩爾定律得以延續。

汎銓去年建置Thermal、SAT、X-ray、PFIB及nano prober等先進封裝分析設備，擴展全方位分析能量，以FA、MA到SA一站式服務，補足先進封裝分析能力。