DRAM再向上 季漲幅4%起跳 |集邦科技

受到三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整影響，DRAM市場供貨轉趨吃緊，繼6月合約價持平開出後，正在協商中的7月合約價可望順利調漲。由於部分系統業者無法向三大廠取得足夠貨源，近期開始轉向南亞科（2408）及華邦電（2344）採購，在第3季DRAM供不應求的預期下，第3季合約價亦順利調漲3∼5％。

下半年進入智慧型手機銷售旺季，由於蘋果iPhone 7的搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看6GB，三大DRAM廠第2季開始大動作調整產品組合，將標準型及利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM，不僅成功大量去化DRAM過剩產能，也讓標準型及利基型DRAM供貨吃緊，合約價已成功止跌。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM合約價經過近2年的續跌，6月合約價已呈現持平，4GB DDR3模組普遍用12.5美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊，一線OEM廠於6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價格，預估第3季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約達4∼8％。

吳雅婷表示，今年上半年標準型DRAM需求不振，搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第2季陸續調降標準型DRAM的產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器DRAM今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％，將有效消化產品比重調整下多出來的產能。

再者，今年下半年NAND Flash明顯缺貨，三大廠也將部分DRAM產能移轉生產NAND Flash，而日前大陸西安變電站爆炸，三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND Flash供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。

在標準型DRAM供不應求之際，利基型DRAM也出現供貨不足情況。事實上，三大廠淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市場，在Mobile DRAM產品組合中也大舉撤出LPDDR2市場，並全面降低LPDDR3供貨量。也因此，大陸多數系統廠無法取得足夠DRAM貨源因應下半年旺季需求，已轉向南亞科、華邦電等台灣業者採購，既然DRAM市場已是供不應求，第3季合約價也順利調漲。