汎銓 提升TEM試片製備能力 |汎銓科技

半導體下半年景氣出現雜音，但各晶圓廠在先進製程持續投入研發，對專精於材料分析及IC電路修補的汎銓科技（MSS）而言，對未來樂觀看待。以目前狀況，全年營收不僅將呈二位數增長，甚至可望出現逾30% 的佳績。

機台最先進

獲客戶信賴

在16奈米以下製程技術的材料分析與IC電路修補，技術門檻之高不難想見，汎銓總經理柳紀綸表示，汎銓擁有最優秀的工程團隊，穩定度與經驗累積領先同業，機台也最先進；「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求的經營定位，獲得客戶信賴。」

汎銓以全面服務來滿足客戶需求，今年資本支出仍超過一億元，是國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司。

材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20╱16╱10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscopy）試片製備難度越來越高，TEM試片厚度需小於15nm以下。

汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM成份（元素）分析能力，TEM試片厚度製備能力已達15奈米以下，是先進製程開發的最佳後盾。他表示，以去年引進FEI OSIRIS TEM為例，配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，取得更低的元素偵測極限、更佳的mapping及 linescan空間解析度，以及更好mapping的訊噪比，並提供更穩定的元素半定量分析，為國內先進製程客戶在TEM EDS成分分析唯一認可的平台。

IC電路修補

良率大躍進

IC電路修補主管李基榮表示，為提供IC設計大廠在尖端IC電路修補的技術支援，2013年底汎銓率先引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，工程人員以熟練的IC電路修補技術，有能力切斷或連接28╱20╱16nm製程IC至最深層極小Ml導線。

他表示，尖端28╱20╱16nm IC電路的修補技術有二大挑戰：線寬尺寸小與介電層（IMD╱ILD, inter metal dielectric╱inter layer dielectric）結構與材料脆弱。因應線寬尺寸小，需要高精密定位與取得清楚的操作影像；介電層結構與材料脆弱，離子束蝕刻或沈積都容易造成打擊損傷，造成元件特性改變或阻抗改變，IC無法正常運作。

汎銓具備豐富經驗，輔以先進設備，如虎添翼，多次成功完成客戶原以為無法修補的案件，良率大幅上升，有效縮短IC設計debug時間，贏得好評。

柳紀綸指出，維持員工士氣與穩定性，才能在技術專業領先同業，贏得客戶滿意度，為汎銓永續經營的不二法門；在開發材料分析及IC電路修補新世代製程分析技術時，更率先投資最先進機台。汎銓對於「員工高向心力、高穩定性、離職率低於同業、機密資訊管控獲國內大廠肯定」相當自豪；人員經驗累積與技術傳承是不變的策略，為汎銓主要的競爭優勢。