DRAM大漲 法說行情啟動

DRAM價格漲翻天，昨（21）日512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）一度大漲逾10%，最高價突破1.2美元之上，再度改寫近三個月多來的新高，不僅讓本土DRAM廠今（22）日起的法說行情「未演先轟動」，現貨價一周來大漲近兩成，也使得DRAM短多行情更加確立。根據集邦科技（DRAMeX-change）報價，DRAM現貨價在昨天午盤時衝上高點，1Gb與512Mb容量晶片全數大漲，512Mb DDRII有效測試顆粒最高價攻上1.22美元，漲幅超過一成，一周來報價大漲19.57%；1Gb品牌顆粒周漲幅也有15%以上。本土DRAM廠法說會今天起由南科（2408）、華亞科（3474）打頭陣，將公布去年第四季與全年財報，法人預期兩家公司對DRAM市況將朝正面解讀，而在DRAM現貨價持續上漲下，華亞科、南科、力晶（5346）、茂德（5387）昨天全數逆勢收紅，類股法說行情昨天已率先啟動。不僅台灣DRAM族群交投熱絡，日本券商瑞穗也調高日本DRAM大廠爾必達（Elpida）評等，由「持有」至「買進」，激勵爾必達股價也在日股不振下逆勢大漲。分析師表示，DRAM價格在先前打底多日後，近一周以大漲反彈姿態演出，使整體產業狀況谷底反彈格局更加確立，在價格回穩激勵下，類股短多行情走勢可望更加穩固。業者認為，DRAM現貨價波動幅度較大，但先前一路暴跌後，價格底部已經成形，反彈是必然趨勢，而本月上旬合約價格止跌行情確立，下旬合約價至少會維持持平以上走勢，並維持緩漲格局，先前價格暴跌造成的營運壓力將隨之減輕，在這波反彈後，最快第一季末便可以更清楚看見整個市況趨勢。此外，先前價格急跌，使得電腦搭載記憶體容量從先前的2GB增加至3GB，也將有助刺激需求增加，加上之後北京奧運可能帶來的消費性電子對於NAND Flash需求大增，將使得記憶體晶片製造商提撥更多DRAM產能生產NAND Flash，未來DRAM供給大增壓力銳減，都對產業發展是正面助力。