作帳行情 DRAM現貨價反彈 力晶喘口氣 ｜集邦科技

DRAM現貨價格再現曙光，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）均

價本周以來大漲近一成，出乎業者原預期，集邦科技

（DRAMeXchange）昨日報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格最

高衝上0.95美元，年底前可望收復1美元關卡。

業界認為，目前需求確實比預期好些，但「作帳行情」才是推升

價格上揚的主力。

分析師指出，12月整體DRAM合約價已下修逾一成，反應前波現

貨價大跌影響，如今現貨價格回穩，也將激勵合約價往後止跌，

不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣，包括南科、茂德等合約市

場比重高的DRAM廠，也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳，原廠與模組商受到庫存跌價的影響，

近期不再低價拋售，以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失，

也正因如此，這兩個月下跌逾五成的DDR，近期出現可觀的反彈

力道。

集邦科技最新報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格均價，站穩

0.9美元以上，過去一周以來由0.8美元附近起漲，漲幅近一成。

但是業者認為這是傳統的節後回補庫存，對價格仍採「審慎樂觀

」態度。

集邦認為，台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進

行歲休，可望成為「變相減產」，減少產出幅度約在10%至25%

，有助明年第一季DRAM價格反彈。

目前已有奇夢達宣布歐洲地區少量減產，將有助減少市場供給，

有利價格走勢。