DRAM 回穩 力晶樂了 512Mb DDRII現貨價漲一成 合約價可望跟進 南 |集邦科技

DRAM 回穩 力晶樂了 512Mb DDRII現貨價漲一成 合約價可望跟進

南科茂德股漲

DRAM現貨價格再現曙光，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）均

價本周以來大漲近一成，出乎業者原預期，集邦科技

（DRAMeXchange）昨（27）日報價，512Mb DDRII有效測試顆粒

價格最高衝上0.95美元，年底前可望收復1美元關卡。

業界認為，目前需求確實有比預期好些，但「作帳行情」才是推

升價格上揚的主力。

分析師指出，12月整體DRAM合約價已下修逾一成，反應前波現

貨價大跌影響，如今現貨價格回穩，也將激勵合約價往後止跌，

不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣，包括南科、茂德等合約市

場比重高的DRAM廠，也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳，原廠與模組商受到庫存跌價影響，近

期不再低價拋售，以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失，正

因如此，這兩個月下跌逾五成的DDR，近期出現可觀反彈，重新

挑戰1美元的價位。

但就近幾天價格回彈來看，應該與耶誕節前客戶降低庫存水位，

如今假期邁入尾聲，陸續回補庫存所致，至於能否真的在年底前

重新站回1美元大關，目前採「審慎樂觀」態度面對。

業者表示，農曆春節科技產品買氣被寄予厚望，大陸1月DRAM及

快閃記憶體備料，以及2月春節過後的補貨行情近期帶動市場買氣

，由於第一季進入晶圓廠歲修階段，實際產出顆粒將明顯短少，

加上碰上中國農曆年買氣出籠，後勢價格將審慎樂觀。

集邦科技最新報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格離1 美元關卡

近在咫尺，均價也站穩0.9美元以上，過去一周來由0.8美元附近起

漲，漲幅近一成。

現貨價格反彈，業者營運壓力大減。力晶（5346）現貨市場出貨

比重最高，將率先受惠。昨天股價上漲0.35元、收12.9 元，成交

量近3.7萬張。

集邦認為，台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進

行歲休，可望成為「變相減產」，減少產出幅度約在10%至25%，

有助明年第一季DRAM價格反彈。目前已有奇夢達宣布歐洲地區

少量減產，將有助減少市場供給，有利價格走勢。