擎泰推新一代控制晶片　支援MLC、ReadyBoost

快閃記憶卡控制晶片設計公司擎泰宣佈推出新一代記憶卡和隨身碟控制晶片，支援ＭＬＣＮＡＮＤ型Ｆｌａｓｈ顆粒，包括可同時支援ＳＤ　２．０和ＭＭＣ　４．２的ＳＫ６６２１控制晶片，以及隨身碟控制晶片ＳＫ６２８１，擎泰表示，這二款新一代控制晶片在ＭＬＣ支援度和速度上皆有不錯的表現。擎泰指出，目前新一代高容量ＳＤＨＣ記憶卡，依速度分別為Ｃｌａｓｓ　２、４、６等級，其中Ｃｌａｓｓ　６為最高等級，而推出的新一代的控制晶片其ＳＬＣ晶片，速度可到Ｃｌａｓｓ　６水準，在支援ＭＬＣ晶片上，則可支援到Ｃｌａｓｓ　４的傳輸速度。目前整個ＮＡＮＤ型Ｆｌａｓｈ產業處於ＳＬＣ和ＭＬＣ製程交替期，ＮＡＮＤ型Ｆｌａｓｈ大廠三星電子和海力士針對ＭＬＣ製程晶片的比重都是不斷提升，控制晶片設計業者也積極針對ＭＬＣ製程的支援度，推出新一代控制晶片。以往支援ＳＬＣ製程的晶片，其ＮＯＰ為４次，也就是每頁可以寫４次，然ＭＬＣ製程的ＮＯＰ只能寫１次，因此相對而言，支援ＭＬＣ製程的控制晶片需要較嚴格的標準。擎泰新一代的記憶卡和隨身碟控制晶片ＳＫ６６２１及ＳＫ６２８１，目前已能順利支援主流的ＭＬＣ製程，包括英特爾、三星、東芝、美光、海力士等大廠的ＮＡＮＤ型Ｆｌａｓｈ，都可順利支援。其中記憶卡控制晶片ＳＫ６６２１可支援ＭＬＣ到Ｃｌａｓｓ　４水準，ＳＬＣ可到Ｃｌａｓｓ　６的傳輸速度，而支援ＭＬＣ亦需經過ＧＰＳ廠商的認證，要求寫入速度需至少每秒７ＭＢ；隨身碟控制晶片ＳＫ６２８１則是達到ＲｅａｄｙＢｏｏｓｔ技術的速度需求，支援單顆ＭＬＣ時可達每秒２２ＭＢ的讀取速度，以及每秒６ＭＢ的寫入速度。