矽成積體電路推出高速非同步SRAM 滿足市場對高效能記憶體需求 |矽成積體電路

鉅亨網記者蔡靜美／台北． 1月 3日 01/03 13:38

即將於 1月16日掛牌上櫃的IC設計公司矽成積體電

路，今日發表 3款目前市場上最快速、效能可達 8奈秒

的2M及4M的非同步SRAM，以滿足通訊市場對於高效能記

憶體的強大需求。矽成指出，目前 8奈秒2M及4M非同步

SRAM皆已量產，預計於2001年年初可達到產能高峰。

矽成表示，新穎的通訊產品如數據機、VoIP等都紛

紛將產品的主要訴求鎖定在高效能上，同時通訊產品的

工作電壓趨勢也自原先的 5伏特調降為 3.3伏特，造成

市場對高效能記憶體產生強烈的需求。

矽成繼去年第二季領先研發出 8奈秒1M非同步SRAM

後，再度以超越的技術將記憶體容量成功地往上提升，

成功推出市場上最快的 3.3V 2/4M非同步SRAM，並已進

入量產，預計於今年年初可達到產能高峰。同時矽成也

可以10、12及15奈秒的速度提供，強化SRAM產品線之完

整性。

矽成進一步指出，目前8M及 16M的 8奈秒非同步

SRAM也即將研發成功，推出樣品。同時為了滿足客戶在

產能上的需要，矽成也正與台積電共同研發0.15微米及

以下的製程，預計在短時間內即可成功研發。