中山大學研發6吋碳化矽 技轉台灣應用晶體

中山大學晶體研究中心成功生長出直徑6吋的碳化矽（SiC）晶體塊材，昨（19）日宣布與台灣應用晶體公司及其所屬集團簽訂五年5,000萬元技術移轉案，7月起開始技轉，助攻台灣半導體材料發展。

中山大學晶體研究中心是國內唯一能生長次世代半導體碳化矽的實驗室，中心主任周明奇指出，第三類半導體材料碳化矽晶體是重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域。該團隊已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。

周明奇指出，研發過程中攜手國內企業共同創新，如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體全部台灣製造，長晶爐由中山大學創新育成中心孵化的企業打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料是中鋼（2002）與中碳協助。