聯電第三代半導體產能滿載 看好明年需求再向上

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程，聯電技術開發五處資深處長、同時也是聯穎研發副總邱顯欽今 (15) 日表示，聯穎產能滿載，並將在 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造，看好明年需求將優於今年。 聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務。邱顯欽指出，在 6 吋市場累積豐富經驗後，現階段將朝 8 吋全面佈局，且有別於台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在氮化鎵 (GaN) 上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，相較其他同業能有更多發展空間。 邱顯欽指出，目前聯穎產能滿載，但其中有少部分利基型矽基半導體產能，將逐步拉高化合物半導體比重，縮減矽基半導體產能，目標 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造。 展望明年，邱顯欽表示，雖然產能中仍有部分矽基半導體，將受消費性電子市況放緩影響，但從客戶訂單來看，明年化合物半導體需求會比今年好，整體而言，明年還是稍微可以期待。 至於碳化矽 (SiC) 方面，邱顯欽說，聯穎目前以微波居多，功率應用也正密切關注。