格棋碳化矽晶圓技術 獲國家新創獎肯定 |格棋化合物半導體

專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體，以「低缺陷密度8吋碳化矽晶圓技術」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎肯定，該項技術不僅能提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術的普及，對推動地球永續有積極助益。

格棋副總賴柏帆表示，核心團隊投入高品質碳化矽長晶技術研發將近10年，此次獲獎是對格棋在創新技術和卓越品質方面的高度肯定，證明致力推動綠色科技和永續發展正走在對的道路上。

格棋致力於晶體生長和晶圓的技術開發和製造，以嚴格的原材料物性控管，降低材料雜質並穩定長晶過程；精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶的定位，促進晶體均勻生長；先進的熱場參數控制技術，防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生；精密的模組設計與組裝，避免晶體污染和模組變形。憑藉4項核心技術優勢，格棋有效降低晶體的線缺陷、面缺陷及體缺陷，提升功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。

為滿足市場多元需求，格棋提供彈性化的產品組合，包括碳化矽晶體（SiC Ingot）、碳化矽晶圓（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圓（SiC EPI Wafer），並透過虛擬IDM模式，整合上下游價值鏈，依照客戶屬性，整合包含加工、磊晶、設計、製造、元件等廠商，簡化服務窗口與供應鏈服務客戶。