格棋碳化矽晶圓，創新科技獲獎肯定|格棋化合物半導體

台灣化學材料製造領域再傳佳音，專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體，憑藉其「低缺陷密度8吋碳化矽晶圓技術」，榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎的殊榮。這項技術的獲獎，象徵著格棋在能源效率提升、碳排放減少以及綠色技術普及方面的重大貢獻，對於地球永續發展的推動具有積極影響。

格棋化合物半導體副總賴柏帆表示，公司核心團隊長達近10年的研發投入，終於獲得了這項技術的突破，這次獲獎不僅是對格棋創新技術和卓越品質的肯定，更證明了公司致力於推動綠色科技和永續發展的決心與方向是正確的。

格棋化合物半導體專注於晶體生長和晶圓技術的開發與製造，採用嚴格的原材料物性控管，有效降低材料雜質，並穩定長晶過程。此外，公司還運用精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶定位，促進晶體均勻生長。先進的热场参数控制技術則能防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生，而精密的模組設計與組裝則能避免晶體污染和模組變形。

這四項核心技術的優勢，讓格棋成功降低了晶體的線缺陷、面缺陷及體缺陷，進而提升了功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。為滿足市場多元需求，格棋提供了一系列產品，包括碳化矽晶體、碳化矽晶圓、碳化矽籽晶和碳化矽磊晶晶圓。透過虛擬IDM模式，格棋整合上下游價值鏈，為客戶提供包含加工、磊晶、設計、製造、元件等一站式服務，簡化服務窗口與供應鏈，提供更高效、便捷的解決方案。