台灣美光領航AI時代，創新HBM3記憶體技術｜台灣美光記憶體

台灣美光記憶體公司近日盛大舉辦記者會，董事長盧東暉與美光先進封裝技術開發處副總裁Akshay Singh親臨現場，與媒體分享公司過去一年的亮麗成果，並展望未來發展。會上強調，台灣作為美光卓越製造中心，在DRAM製造領域佔據重要地位，未來將成為最尖端的DRAM製造與封裝基地。

盧東暉強調，台灣美光在DRAM製造上具有絕對優勢，目前已有65％的DRAM在台灣生產。隨著新製程技術的導入，台灣美光將進一步提升產品效能與節能表現。例如，近期推出的1-beta製程技術，相比上一代1-alpha製程，功耗降低約15％，位元密度提升超過35％，晶粒容量可達16Gb，適用於車用、行動及資料中心等多元應用。

盧東暉還透露，台灣美光正在打造下一世代1-gamma製程，預計2025年上半年量產，並將首先在台中廠進行量產。此製程技術採用極紫外光（EUV）製程，將為產品帶來更高的效能與穩定性。

Akshay Singh則在會上強調，隨著AI浪潮的來臨，記憶體在AI領域扮演著重要角色。美光積極擴大HBM布局，已推出業界首款8層堆疊24GB的HBM3 Gen 2產品，並計畫在2024年第一季度放量出貨。此外，還將推出技術含量更高的12顆堆疊容量32GB的HBM 3e，預期美光的HBM市占率將在2024年顯著提升。

Akshay Singh還表示，未來十年AI產值將超過13兆美元，記憶體在高效能運算中的重要性將更加凸顯。為此，台灣美光將持續在台投資先進製程，並與本地供應鏈夥伴攜手，加速技術發展，擴大本土半導體產業生態系。此外，還將舉辦各類廠商茶會，建立本土供應鏈商體系，攜手拓展國際市場。