台灣穩晟材料科技：引領碳化矽基板創新，鍥而不舍於半導體進階

新竹訊－隨著電動車和5G基建的興起，功率元件的需求日益增加，其中第3代半導體在這波趨勢中扮演著關鍵角色。不僅中國和美国等主要國家政策推動，台灣的企業也紛紛投入其中。其中，碳化矽基板被視為發展的關鍵要素。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨指出，第3代半導體近年來成為政府與產業界關注的焦點，主要因為三個催化劑：特斯拉採用碳化矽，環保意識抬頭，以及中國政策支持。美國政府推動的基建計畫預計將為第3代半導體創造市場。

第3代半導體主要材料為碳化矽和氮化鎵，與傳統半導體相比，具有更優的散熱性和續航力。其中，SiC電晶體和碳化矽基GaN電晶體是成長性較高的產品，年複合成長率分別達27%和26%。

然而，SiC基板的製造難度高，成本高昂，是限制其發展的主要因素。楊瑞臨強調，SiC基板不僅佔功率元件成本比重高，且與產品品質密切相關，因此成為發展關鍵。

全球SiC基板龍頭廠科銳市占率超過6成，台灣廠商如廣運集團旗下盛新材料科技和穩晟材料科技也投入此領域。楊瑞臨建議台灣廠商參考這些先進企業，積極發展SiC基板，以提升競爭力。