三星、SK海力士EUV裝機恐遞延2020年　美光DRAM 1z製程量產享微縮優勢

儘管台積電、三星電子(Samsung Electronics)晶圓代工事業均已導入極紫外光(EUV)設備裝機、量產，記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)以及美光(Micron)此前也積極考慮儘快在記憶體晶片生產導入EUV製程，但日前荷蘭半導體設備大廠ASML透露，共計有4座EUV微影設備系統之出貨時間，從原訂的2019年第4季遞延至2020年，業界分析值此邏輯晶片市場相對火熱之際，遞延EUV設備裝機的恐怕是三星和SK海力士二家業者。據Seeking Alpha、ZDNET報導指出，在晶圓代工先進製程以及記憶體高階製程持續向下微縮之際，一座動輒數億美元的EUV微影設備出貨裝機時程，幾乎成了上述相關市場復甦、廠商接單是否暢旺的風向球。ASML執行長Peter Wennink甫於10月中旬在法說會上透露，共計有4座EUV設備延後至2020年出貨給客戶。除了要考量到底是哪幾家半導體業者2019年不打算裝機EUV設備以外，更重要的必須思考這樣的遞延效果，究竟對產業有利還是有弊？日韓貿易衝突至今未見結束跡象，而在日韓貿易禁運困境下，連帶也衝擊EUV光阻劑輸往南韓的交易。不過，至少從三星晶圓代工事業部的立場來看，由於成功取得來自RMQC供應EUV光阻劑的管道，使得這家由日本JSR與比利時IMEC聯合成立的合資企業RMQC，成了三星確保EUV製程業務上的墊腳石。目前還不清楚RMQC是否尚有餘裕供應給三星與SK海力士記憶體晶片生產所需，這或許是前述兩廠延遲導入EUV製程的原因之一。從2018年下半以來的記憶體產能過剩，也導致三星遲遲未能決定何時啟動西安和平澤這兩處新廠投產，雖然日前傳出三星已經下訂平澤與西安兩廠設備，但不可否認的是，在全球記憶體市場不振情況下，三星2019年第3季DRAM營收年減43%，NAND Flash進帳比2018年同期減少40%，此外，SK海力士同期DRAM營收也年減超過48%。換句話說，三星與SK海力士在DRAM與NAND Flash營收大減、晶片均價下跌等不利因素影響，使得兩廠處於相對困窘的財務狀況下，在2019年底前，未必是裝機EUV設備、在新技術上大幅斥資的最好時機點。2019年上半期間，三星晶圓代工事業部合計營收達到55.39億美元規模，雖然比起退出7奈米製程競局的GlobalFoundries(GF)2019年上半營收25.61億美元，已經站穩全球晶圓代工二哥寶座，市佔率達18.5%，但距離台積電48.6%的市佔率，三星晶圓代工業務2019年上半並無太大進帳。與三星、SK海力士相較，美光不僅在2019年第3季領先開始1z奈米製程量產與出貨，帶來優於三星和SK海力士的DRAM製程優勢。此外，美光也繼續導入深紫外光(DUV)微影設備系統到1z奈米製程節點。在美光積極投產後刺激三星與SK海力士，或許決定延遲EUV設備裝機，意味著三星與SK海力士也將繼續導入DUV製程，積極在2019年底前與2020年初快速投產1z奈米製程DRAM。據研究機構The Information Network報告顯示，從全球DRAM業者製程藍圖來看，估計美光在1z奈米製程DRAM量產出貨方面，領先三星大約2季的時間，同時也領先SK海力士1z奈米製程大約1年左右。美光日前財報顯示，截至2019年第3季為止，旗下DRAM產出已有大約75%係由1x奈米製程與1y製程導入生產，相較於一年前大約有一半左右的DRAM位元產能係由導入20奈米製程或以上節點製造，顯示美光轉進1x與1y奈米製程的速度相當快，而美光也同時在2019年第1季與第3季分別開始量產1y與1z奈米製程。雖然三星與SK海力士近來傳出有意在2019年底前開始投產，但相較於美光1z奈米製程已量產出貨，更將在2020年轉進台灣晶圓廠投產，意味著美光可望在2020年全球記憶體產業景氣循環上行之際，盡享微縮優勢。相對地，在美光持續導入DUV量產，以及三星、SK海力士遞延EUV裝機，全球前三大DRAM業者恐怕還要等到至少2021年，才有可能轉進EUV設備、1a奈米製程量產。