台DRAM產業技術自主露曙光

記憶體大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米製程大戰後，曾傳出加入爾必達(Elpida)45奈米陣營，然近期華邦內部已悄悄網羅一組奇夢達(Qimonda)技術團隊，借用埋入式閘極字元線連結(Buried Wordline)技術自行開發46奈米製程，可望成為台灣第1家自己擁有40奈米世代DRAM技術記憶體大廠，未來華邦在標準型DRAM技術恐將與爾必達漸行漸遠。台系DRAM廠陸續揭示40奈米製程計畫藍圖，華邦在2010年初亦對外宣布將建立40奈米製程自有團隊，且已先就當前最缺貨的浸潤式微影機器設備(Immersion Scanner)下訂單，充分展現卡位40奈米市場的決心。原本業界認為華邦與爾必達合作關係，將從繪圖卡記憶體(GDDR)代工，延伸至標準型DRAM 45奈米技術，然近期華邦已悄悄網羅之前合作夥伴奇夢達技術團隊，計劃憑藉既有65奈米技術基礎，自行研發奇夢達已開發完成的46奈米Buried Wordline技術，成為台灣第1家在40奈米世代走上技術開發自主之路的DRAM廠。記憶體業者表示，奇夢達Buried Wordline技術係當初試圖從溝槽式(Trench)技術轉型至堆疊式(Stack)技術的代表作，2008年底Buried Wordline技術已成功試產65奈米製程，並完成46奈米產品開發，原計劃在2009年中量產，但奇夢達財務狀況持續惡化，2009年3月就宣布破產。記憶體業者認為，奇夢達Buried Wordline技術其實相當有競爭力，生產出來的晶圓尺寸非常小，若順利進入量產階段，成本結構競爭力不輸同業，當時連爾必達都被奇夢達該技術所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢達終究因為財務赤字，而淹沒在DRAM大崩盤洪流中。這次華邦借著過去與奇夢達合作65奈米技術基礎，加上延攬奇夢達部分設計團隊，以及融合手上奇夢達GDDR專利和技術，自行開發46奈米製程，將走出一條有別於目前台灣DRAM技術陣營除美光(Micron)和爾必達外的第3條路。事實上，華邦走向自己開發DRAM製程技術之路，主要係因華邦營運重心已逐漸從標準型DRAM轉向，專注於SDRAM和NOR Flash，因此，40奈米世代技術對於華邦而言，雖然一定要參與，但沒有急迫性，目前SDRAM採65奈米製程生產，直到2010年底都還相當具競爭力，不像南亞科、華亞科、力晶等標準型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉進40奈米世代，華邦轉進40奈米係為SDRAM下世代技術鋪路，並不急於導入。記憶體業者指出，華邦沒有與爾必達合作45奈米製程另一個考量，係因爾必達在輸出技術時會要求以產能交換，但華邦旗下12吋晶圓產能只有3.2萬片，2010年下半NOR Flash產能佔掉1萬片，加上SDRAM和Mobile RAM產能排擠，標準型DRAM產能已降至3,000~4,000片，實在沒有產能可與爾必達談判，因而未能成局。另外，爾必達過去輸出技術除保障產能外，亦會要求技術授權費用，產能越大的DRAM廠，每片晶圓所分攤技術授權費越低，以華邦3.2萬片產能來看，就算全部都拿來做DRAM，算下來每片晶圓成本還是很高，與爾必達合作未必佔便宜。DRAM業者認為，原本爾必達在台廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之後下一個囊中物，但現在華邦走上自有技術開發之路，未來爾必達與既有合作夥伴力晶、瑞晶、茂德之間互動，勢必會更緊密。爾必達陣營中的力晶和瑞晶，計劃於2010年下半導入45奈米製程，美光陣營的南亞科和華亞科則將導入42奈米，如今加上華邦46奈米技術加入戰局，DRAM產業40奈米大戰熱鬧可期。