美光、爾必達提前導入40奈米　4大DRAM陣營火藥味濃

2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場直接拉到40奈米世代！繼爾必達跳過50奈米製程，大舉轉換至45奈米後，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉42奈米。華亞科表示，表示旗下的50奈米製程是最正統的完整世代技術，並非是製程微縮下的產物，因此成本競爭力有十足把握；在爾必達、美光跟上製程進度後，年底4大陣營技術實力大幅縮小，競爭更激烈。雖然三星電子和海力士已先一步轉到40奈米世代，其中三星是46奈米製程，海力士轉進44奈米製程，但記憶體業者透露，兩大廠轉換的速度是雷聲大雨點小，傳出良率不如預期，因此量產的時間點延後，也凸顯40奈米世代的困難度，連老大哥都有不少難題要克服，因此2010年DRAM產業號稱要以製程演進增加產出，恐怕位元成長率會不如預期。值得注意的是，這次的40奈米世代大戰，爾必達和美光都不會缺席，且在轉換的時間點上相當接近。繼爾必達和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳過50奈米製程，直接轉45奈米製程後，美光陣營的華亞科和南亞科也宣布42奈米製程提前1季投產，將在年中轉進42奈米製程。華亞科總經理高啟全表示，由於50奈米製程階段，3家公司就已經開始用Immersion機台，因此轉進42奈米製程的資金花費相對較少，且技術門檻相對較低，華亞科的計畫是2010年中42奈米製程試產，年底通過認證，2011年42奈米製程進入大量，而下半年將會有50奈米製程打前鋒。華亞科也強調，美光的50奈米製程是正統且完整個1個世代技術，並非製程微縮下的產物，因此對成本結構相當有信心，預計3月開始大量投50奈米，預計10月旗下13萬片產能可全數轉換到50奈米製程，屆時全數產出為2Gb DDR3產品。爾必達的42奈米製程在2009年底宣布量產，瑞晶將在2010年第2季導入，力晶也表示，日前已和爾必達、瑞晶共同採購Immersion機台，為轉進42奈米製程做暖身。DRAM業者表示，爾必達2010年省略50奈米，直接跳到45奈米世代，技術層次上算相當厲害，但短期要面臨兩個問題，第1是現有的65奈米技術不能做2Gb的DDR3，第2是跳躍世代的技術導入，過去DRAM廠從未有此經驗，因此良率和技術是否能順利銜接，同業都相當好奇。DRAM業者指出，隨著爾必達和美光在40奈米世代上趕上進度，與三星和海力士的距離更加縮小，年底4大DRAM陣營可望回到同1個競爭起點，其中美光打著正統50、40奈米旗子，遇上爾必達這個擅長製程微縮的大軍，兩陣營廝殺會更加激烈。