爾必達、瑞晶在台成立研發中心

瑞晶與爾必達(Elpida)宣布在2010年第1季成立技術研發中心，合作開發下世代40奈米4F2製程技術，未來爾必達在標準型DRAM上的技術研發重心，將逐漸由日本廣島移往瑞晶；瑞晶總經理陳正坤也表示，此舉為宣示技術扎根台灣的意義。此外，瑞晶計劃在第1季公開發行，為上市櫃掛牌暖身。瑞晶目前開始試產65奈米XS版本，預計第1季可量產，同時瑞晶也正式宣布，雖然錯過50奈米製程技術，但2010年將一舉導入40奈米6F2製程技術，屆時會視整體記憶體景氣狀況，在40奈米6F2技術和65奈米XS技術2者做調整，若終端需求強勁，會增加40奈米6F2技術比重，以期能增加DRAM產出，趕搭DRAM市場回春的列車。瑞晶的40奈米6F2製程技術源自於母公司爾必達，爾必達的此製程技術已於2009年底在廣島廠完成試產，2010年目前是在13萬片的12吋晶圓產能中，有50%比重導入40奈米6F2技術。爾必達的製程技術演進過程分別為65奈米S技術、65奈米XS技術、40奈米6F2製程技術、40奈米4F2製程。瑞晶宣布與爾必達合資成立研發中心，是從40奈米4F2製程世代進行合作。陳正坤指出，研發中心預計分為2009、2010年兩階段投資，2009年將投資3,000萬~5,000萬美元，2010年投資3,000萬美元，合計總共要投資8,000萬美元。此外新研發中心人員約80位，爾必達、瑞晶和力晶各有20~30名員工加入。陳正坤指出，在台灣成立研發中心，目的是結合台日雙方資源以加速新製程的開發，且借用台灣研發人員的長才，落實技術深根台灣。此外，未來力晶也將共享導入40奈米4F2製程技術。陳正坤表示，未來爾必達陣營的技術目標，就是在同世代的機器設備之下，盡量增加產出，且沿用現有的設計法則，從6F2進階到4F2技術，未來演進至40奈米製程技術後，目標是生產2Gb的成本和1Gb一樣，藉由容量成長1倍但成本維持不變下，搶佔DRAM市場。此外，瑞晶也計劃在2010年掛牌上市櫃，預計第1季將辦理公開發行，然掛牌前要先解決股權過於集中的問題。瑞晶2009年第3季轉虧為盈，第4季受到DRAM價格反彈，獲利相當亮眼，市場推估有20億~30億元水準，然以全年度來看，由於瑞晶上半年虧損仍高，因此整年度仍是虧損。瑞晶2010年的資本支出約100億~120億元，預計一半以營運資金因應，另一半將向銀行借款，如果DRAM價格一直維持在2.5美元附近的水準，預計2010年瑞晶1季可獲利超過30億元，屆時就不用向銀行借款。