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高平磊晶科技

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高平磊晶與展旺生命科技獲竹科管理局產學研發獎助

(中央社記者張建中新竹2008年3月4日電)高平磊晶科技與交通大學合作投入氮化鎵成長于矽基板的研究,獲得新竹科學工業園區管理局新台幣400萬元獎助;另外,展旺生命科技與清華大學合作研發伊特培南創新合成及制程技術,也獲得科管局243萬元獎助。科管局指出,高平磊晶科技與交大的合作開發計畫,是先在矽晶圓上成長氮化鋁作為緩衝層,以解決氮化鎵和矽晶間隔不匹配及熱膨脹係數的差異,順利在矽晶圓面上成長厚度達2微米以上無裂痕的氮化鎵薄膜。隨後在氮化鎵磊晶層上成長氮化鋁鎵形成二維電子氣層,進而製造出以矽基板的氮化鎵異質場效電晶體元件;由於具有高導熱係數、耐高壓、高功率等特性,可應用在太陽能電池、燃料電池與油電混合車等領域。展旺生命科技與清大的合作計畫,是開發一種名為伊特培南的新型類抗生素藥物的創新合成路徑,及起始化合物的制程技術。展旺與清大開發出的伊特培南,可用以治療腹內、皮膚、骨盆感染、肺炎和尿道感染等。
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