禧通砷化鎵太陽能晶片 室內發電0.6伏特以上

太陽能發電也可應用於室內消費性電子使用，禧通科技推出高轉換效率砷化鎵 (GaAs) 太陽能晶片，在室內仍能產生 0.6 伏特以上的電壓，為一般矽材料四 倍，此特點大幅提升其在消費性電子產品的應用。太陽能電池在近幾年是最熱門的產業之一。無論從低光電轉換效率的薄膜 (Thin Film)、中轉換效率的單多晶矽 (Si) 晶圓到高轉換效率的砷化鎵 (GaAs) 太陽能電池，都吸引業界矚目及資金投入，而其應用面也從戶外吸收太陽光發電到室內日光燈發電。禧通科技推出的高效率太陽能晶片，由於材料和設計上的不同，具高轉換效率，在室內仍能產生 0.6 伏特以上的電壓。禧通表示，因為 GaAs 太陽能電池是用有機金屬汽相磊晶 ( MOCVD) 設備及高技術製成，可改變其吸光層之材料組成而吸收不同波長。其轉換效率可達 20 ～ 35%，尤其對日光燈吸收效率更高，另也耐高溫，可利用聚焦方式節省材料，適用於消費性電子產品及各種表面設計。