阿托致力發展半導體金屬化技術

半導體科技日新月異，其未來主要發展走向有二，一是降低線寬間距，由微米至奈米。再者為增加產品純度，由ppm等級增加至ppb等級。因應半導體市場趨勢，近年來阿托科技致力於半導體金屬化技術的發展，目前主要成果及產品有四項：一、Everplate：為因應半導體元件微型化及高效能潮流，近年來，銅製程已漸取代鋁製程成為市場主流。Everplate適用於溶解性及不溶性陽極系統，藉由優異的填孔電鍍能力，成功應用於45奈米雙鑲嵌(Dual-Damascene)製程上。二、Spherolyte：可應用於凸塊電鍍、重分佈層(Redistributio n)，及微機電的製程。其產品範疇包含電鍍銅、鎳、銀、錫鉛和因應無鉛時代之錫銀等。三、Xenolyte：無電鍍鎳鈀金也可應用於覆晶製程中，由於其選擇性沈積的特性，故無須多餘光阻步驟，降低製程的複雜性。阿托科技在化學鎳與浸鍍金間，多加一道化學鈀製程，可提升產品長期可靠度，及銲點強度。在化學金製程部分，阿托無氰化物製程，符合先進國家的環保要求。四、Aurolyte：電鍍金凸塊廣泛應用於光電業中，與一般傳統的錫鉛凸塊相比，金具更佳的電性表現，並可免除因使用助焊劑而衍生的問題。Aurolyte電鍍液具極佳的穩定性及槽液壽命，鍍層之厚度均勻性(Uniformity)也可控制在三％內，生產成本因此大幅降低，鍍層之硬度可大於90Hv，因此增加產品的信賴性。阿托科技指出，近期在半導體先進技術開發上，有二個成功案例，一是與德國英飛凌半導體合作開發高縱橫比電鍍銅填孔技術，可應用於3-D晶片堆疊技術，孔徑10μm，深度100μm，縱橫比為10：1。另一為與新加坡NTU開發垂直鍍銅連接陣列技術，直徑30μm、高度325 μm、間距90μm、縱橫比11：1。在集團豐沛資源支持及研發資源不斷投入下，阿托科技在半導體領域擁有金屬化製程的化學技術、完整產品線、線上即時分析監控系統及完整的技術服務等四大核心專長。